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TSMC en avance sur le 3 nm... Mais pas le même !

Nous vous parlions récemment que TSMC rencontrait des difficultés dans la mise au point de son node 3 nm. Grâce au twitto RetiredEnginer, qui le tiendrait lui-même de Morgan Stanley, nous apprenons aujourd'hui qu'il serait en avance... mais sur un autre process. Explication : la société travaille actuellement sur trois procédés de fabrication de 3 nanomètres (nm). Ce sont les N3, N3B et N3E, chacun adapté aux besoins ou aux exigences de chaque entreprise. Alors que les N3 et N3B sont prévus pour 2023, et les N3E pour 2024, il semble que l'entreprise ait progressé pour qu'au moins un de ses processus de fabrication les plus avancés arrive rapidement. Le tweet suggère que le nœud N3E pourrait être terminé d'ici la fin de ce mois de mars, ce qui se traduit par une réduction des délais de démarrage de la production de masse d'un trimestre complet, passant ainsi du troisième au deuxième trimestre 2023.

 

tsmc capacite production euv 2021

 

Cette bonne nouvelle serait due à des yields bien meilleurs que prévu (l'inverse de Samsung Foudry en somme) avec le N3E par rapport au N3B. La contrepartie serait que le process N3E soit légèrement moins performant (-8% en densité) que ses frères. Il faut savoir que « E » chez TSMC signifie Economic. C'est le process qui sort souvent en premier, mais avec quelques omissions technologiques par rapport à ce que promet le node, ce qui permet de le mettre au point plus facilement et donc de le produire en abaissant le coût. Pour le N3E, le gain a été obtenu en diminuant le nombre de couches EUV de 25 à 21. Le process reste quand même 60% plus dense que le 5 nm. À titre de comparaison, le nœud N3 aurait une logique 70 % plus dense que le nœud N5. Cela devrait permettre à Apple de commercialiser son nouvel iPhone pour la rentrée, l'honneur sera sauf.

Un poil avant ?

Elles finiront bien par arriver, ces Arc Alchemist !

Un peu plus tard ...

Mémoire ECC et CPU Core, c'est désormais possible ! Mais...

Les 3 ragots
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par Un ragoteur sans nom embusqué, le Mercredi 09 Mars 2022 à 19h44  
Le plus gros problème de samsung c'est qur celui ci n'a plus qu'un mode de gravure pour sa version en point ce qu'il fait que soit son process est bon tour de suite et cela passe soit et bien cela coince et il n'a pas de 2eme process ou 3 comme tmsc.Donc si samsung se loupe, il n'a pas de plan b possible, le même problème qu'intel a eu avec son 10 nm, obligeant a chaque fois de rester en 14 nm optimisé.
C'est pour cela que tsmc reste en avance sur la gravure car il a toujours une solution de repli au cas ou son meilleur process coince un peu.C'est ce que les autres fondeurs douvent faire dorénavant pour ne plus avoir de problème aussi handicapant.
La guerre en ukraine affecte la livraison de gaz halogène, très important pour le gravage de semi conducteur, on verra si cela prend trop d'ampleur avec de mauvaise conséquence, ce que je n'espère pas.
Je pense oui qu'on verra une différence entre le process de samsung et tsmc dans le prochain soc qualcomm 8 gen 1 + dans quelques mois.Mine de rien, les conséquences sont importantes, le 8 gen 1 est réputé pour être bien bridé a cause de sa chauffe.Ce n'est pour rien que des modèles premium ultra haut de gamme en smartphone, etc vont sortir avec du soc mediatek D9000 process tsmc 4 nm) dedans, soit une grande première.
par Pierre Yves D., le Mercredi 09 Mars 2022 à 11h50  
par Jemporte, le Mardi 08 Mars 2022 à 18h24
Le 8nm DUV de chez Samsung est assez dense. On dit que ce n'est qu'un 10nm optimisé, mais il colle a la densité du 7nm DUV TSMC.
Je pense qu'entre TSMC et Samsung, on se bat sur des pouillèmes, et bien sûr le meilleur gagne, mais la victoire technologique de TSMC n'est pas écrasante.
Le 8 nm SamFo est bien un 10nm ++, cf la roadmap sur la news concernant Samsung Foundry.
Il semblerait qu'il y ai + que des pouillèmes, notamment au niveau conso et monté en fq. on pourra vraiment comparer avec la sortie du SD8 gen1+ (version TMSC) donc identique, en fin d'année. Le soucis principal, chez Samfo, c'est surtout le rendement quand il est à 35% chez eux et 70+ chez TMSC. De facto une puce coute 2x plus chers à produire chez l'un que chez l'autre.
par Jemporte, le Mardi 08 Mars 2022 à 18h24  
Ca oblige très certainement à revoir complètement le dessin des circuits et probablement ne permet pas juste de densifier le N5 avec le même logiciel.
C'est pas innocent.
Le 7nm EUV TSMC a eu droit au même traitement.

Difficile de dire de quel noeud on parle chez Samsung et quelle techno.
Le 8nm DUV de chez Samsung est assez dense. On dit que ce n'est qu'un 10nm optimisé, mais il colle a la densité du 7nm DUV TSMC.

Je pense qu'entre TSMC et Samsung, on se bat sur des pouillèmes, et bien sûr le meilleur gagne, mais la victoire technologique de TSMC n'est pas écrasante.