Samsung va aussi ouvrir une usine EUV chez les cowboys

Afin de relancer un projet d'autonomie - autant dans la conception que de la production - au sujet des l'industrie électronique, la nouvelle administration américaine a fait appel à de nombreux acteurs du secteur de la high-tech. Le but : fabriquer à nouveau des usines de composants électroniques, afin de limiter les pénuries actuelles et à venir, tout en remettant les USA au-devant de la course technologique. Et pour cela, il a fallu appeler les grands groupes classiques du pays, mais aussi quelques intervenants étrangers - dont TSMC - qui prévoit de sortir des terres de l'Arizona tout un complexe de production de wafer principalement en 5 nm et gravés en EUV. Boosté par le gouvernement américain, il semblerait que cette situation commence à intéresser d'autres groupes étrangers, dont l'autre géant du secteur, Samsung.

En effet, le fondeur coréen aurait commencé les négociations et un chantier dans la métropole d'Austin, au Texas, afin de monter toute une usine de production de wafer gravé en 5 nm et en EUV, une ville où Samsung produit déjà du 14 nm. L'annonce n'est pas encore officielle, mais apparemment elle devrait se faire aujourd'hui dans la soirée, suite à la réception du président coréen par celui des USA. Vous l'aurez compris, il s'agit probablement donc d'un rapprochement industriel entre les deux pays, un peu à l'instar de Taïwan avec TSMC. 

Au programme donc, ce sera aussi un complexe de fabrication sur le territoire américain, et question finance, on parle d'un budget assez conséquent de 18 milliards de dollars américains, avec un premier transfert de personnel afin d'étudier la construction. Les débuts de productions de wafer sont prévus pour 2024, ce qui reste assez rapide, et il s'agira de la première usine EUV de Samsung en dehors de la Coréen du Sud. Les enjeux économiques restent intéressants dans tous les cas pour le géant, puisqu'un bon nombre de ses gros clients sont sur ce même continent, et que probablement Samsung n'a pas trop envie de laisser son concurrent TSMC rafler toute la mise. À voir si ce projet est lié à celui de l'agrandissement du complexe d'Austin, qui est prévu pour produire du GAA FET en 3 nm. (source : Korea IT News)