Samsung Foundry dévoile ses plans pour l'après 3 nm jusqu'en 2027

Comme chaque année, Samsung Foundry a tenu son p'tit forum perso pour parler surtout de soi et de ses plans pour l'avenir. Cette année, le fondeur coréen a publiquement (re)défini ses plans pour l'après-3 nm et plus exactement ce qui est envisagé pour la période à venir jusqu'en 2027. Présentement, Samsung se considère comme un leader dans la fabrication du 3 nm, avec lequel il a notamment été le premier des fondeurs à faire produire (supposément en volume) du transistor Gate All Around (GAA). Bon, faire les annonces, c'est une chose, le problème c'est qu'on ne sait toujours pas réellement ce que vaut le premier 3 nm GAA (SF3E ou 3GAE, Gate All Around Early) du coréen, étant donné qu'il n'y a toujours aucun produit l'exploitant sur le marché.

Mais peu importe, l'intérêt aussi pour Samsung est de prendre la main avec une technologie qui représente l'avenir, puisqu'elle servira aussi pour le 2 nm à venir en 2025, d'abord avec le SF2, puis une version améliorée nommée SF2P. Avant cela, Samsung aura normalement introduit son 3GAP (Gate All Around Plus) ou SF3 en 2024, avec des GAA améliorés et une version bonifiée de ce procédé verrait ensuite le jour en 2025 simultanément au premier 2 nm. Autrement dit, il y a aura tout de même un écart d'un an entre la première génération 3 nm et la seconde, ce qui implique que Samsung se donnera sans aucun doute le temps de peaufiner sa technologie GAA et régler les soucis de production plus ou moins habituels liés au passage à un tout nouveau procédé avant d'augmenter à nouveau le rythme. L'après-2 nm et la prochaine grande étape sera le SF1.4, c'est-à-dire une production en 1,4 nm et ce à partir de 2027, si tout va bien d'ici là.

En tout cas, si l'on s'en tient à cette feuille de route, le 2 nm de Samsung arriverait plus ou moins au même moment que celui de TSMC, dont la production "de risque" est vaguement fixée à 2024 et celle en volume pour 2025, mais avec des produits sur le terrain probablement seulement à partir de 2026. On rappelle aussi que ce n'est qu'à partir du 2 nm que TSMC adoptera le transistor GAA. Théoriquement, Samsung devrait donc avoir un certain avantage à ce niveau. En ce qui concerne le ~ 1 nm, chez TSMC aussi le procédé a déjà commencé à prendre forme au moins depuis l'année dernière et Intel également est plus ou moins sur le coup avec son 18A, parfois considéré comme étant un 1,8 nm. Bon, on sait déjà depuis longtemps que ces appellations n'ont plus trop de sens et sont aujourd'hui essentiellement marketing, la supériorité d'un procédé vis-à-vis de l'autre sera évidemment à prouver en pratique.

 Les 4 domaines sur lesquels Samsung compte tout particulièrement se concentrer. Ceux-ci devraient représenter plus de 50 % de son activité d'ici 2027 selon Dr Si-young Choi.

Parce que le futur est GAA ne veut pas dire que Samsung oubliera déjà pour autant le FinFET. Samsung confirme ainsi que la production en 4 nm avec du transistor « classique » (qui avait posé bon nombre de problèmes au départ, au point où le fondeur aurait initialement songé à en faire l'impasse) restera une part importante de son activité et de son offre au moins jusqu'en 2025, avec trois nouvelles déclinaisons planifiées pour son SF4 d'ici là. Le fondeur semble donc confiant de l'intérêt et de l'attrait de cette technologie.

Toujours sur le plan technologique, Samsung a aussi parlé du stacking, domaine sur lequel il est encore assez en retard à ce jour par rapport à ses concurrents, particulièrement TSMC et Intel. Le fabricant avait pourtant bien annoncé sa technologie X-Cube (pour eXtended-Cube) avec microbumps pour permettre la pose de dies de SRAM directement sur un die logique grâce aux TSVs (Through-Silicon-Via) et ce sans aucun intermédiaire. Néanmnoins, bien que présentée en 2020, elle n'arrivera finalement qu'en 2024,  suivie d'une forme sans microbumps à partir de 2026. 

Finalement, pour supporter son avancée technologique, Samsung a également vaguement assuré qu'il va favoriser l'expansion de sa capacité de production, sans toutefois rentrer dans les détails. Le fondeur s'est contenté de dire qu'il aura plus que triplé sa capacité de production des technologies avancées en 2027 par rapport à 2022. Il y a fort à parier que son grand projet américain fait partie de cette ambition. Espérons que cela sera suffisant pour accommoder certains gros clients. Comme on a pu le voir récemment, TSMC mériterait tout de même une concurrence plus sérieuse. (Source : Samsung via Computerbase)