La DDR5 continue sa progression chez Samsung et passe à 7200 MT/s

Samsung a annoncé la conception de sa première puce DDR5 16 Gb utilisant un procédé de gravure de catégorie 12 nm et une collaboration réussie avec AMD pour la qualification de cette nouvelle DRAM avec les derniers processeurs Zen. Outre le nouveau partenariat rapproché avec AMD, dont l'objectif est d'accélérer le processus de validation des nouvelles DDR5 pour les plateformes d'AMD, au fond, ces nouvelles puces DDR5 de 16 Gb n'ont rien de très spécial. C'est une évolution attendue.

En sus d'une consommation réduite de 23 %, Samsung affirme aussi pouvoir en obtenir des débits allant jusqu'à 7200 MT/s, ce qui permettra logiquement au JEDEC de certifier éventuellement une DDR5-7200, l'une des spécifications déjà au programme depuis un bon moment et qui deviendra donc probablement la norme pour les prochains CPU d'AMD après la DDR5-6000. Bien entendu, les constructeurs de DRAM n'ont pas attendu pour proposer des kits pouvant déjà atteindre des fréquences bien plus élevées.

Comme d'habitude, on ne sait toujours pas exactement quel est le procédé vraiment utilisé par Samsung, qui utilise la notion de « classe 10 nm » depuis plus de 6 ans pour sa DRAM. Tous les fabricants utilisent désormais aussi les appellations « 1-alpha » (1a), « 1-beta » (1b) et ainsi de suite pour parler des nouveaux nodes pour la DRAM. Bref, tout cela relève avant tout du marketing et le « classe 12 nm » mentionné aujourd'hui n'est donc certainement pas moins sujet à interprétation, même si ça a le mérite d'être un poil plus clair. Certains estiment que le procédé 1a correspondait grosso modo à du 14 nm. Pour rappel, le node 1a introduisait l'usage des EUV (enfin, pas chez Micron) et le 1b utilise en plus un diélectrique high-k. Samsung vise à commercialiser cette nouvelle DRAM en 2023, exactement comme ses concurrents et conformément à la feuille de route montrée par ASML en novembre. (Source)