2 nm, 3 nm, 4 nm... TSMC fait le point sur sa feuille de route

Comme il en a l'habitude, TSMC a encore fait un p'tit point sur sa feuille de route et sa stratégie « everyone's foundry ». Du haut de son piédestal, avec pas moins de 500 clients dans les poches, le fondeur taïwanais sait très bien qu'il n'a vraiment pas le droit à l'erreur et que le seul moyen d'assurer son avenir au sommet est de maintenir une cadence prévisible, une concurrence féroce, un marketing au point et d'être toujours en mesure de répondre aux besoins quels qu'ils soient de chacun de ses clients, et de toutes tailles. En réalité, il est très peu probable qu'un concurrent sera réellement en mesure de contester la position de TSMC dans les années qui viennent, ce dernier ne considère même pas le lancement d'Intel Foundry Services comme une menace immédiate, ce qui ne l'avait néanmoins pas empêché de réagir dans la foulée de l'annonce d'IDM 2.0 par Intel avec un nouveau plan d'investissement de 100 milliards de dollars en CapEX et R&D sur 3 ans.

C'est dans ce nouveau cadre que la majorité du budget de 2021 (30 milliards) sera dépensé pour développer les moyens de production sur les nodes 6/7 nm, 4/5 nm et 3 nm. Certains analystes envisagent une capacité de 110 000 à 120 000 wafers mensuels pour le procédé 5 nm d'ici la fin de l'année, un node qui devrait prochainement se démocratiser auprès de sa clientèle et connaître un très grand succès. La demande pour le 5 nm et le 3 nm serait même déjà supérieure à celle qu'avait été enregistré par TSMC pour les débuts du 7 nm, il est donc normal que le fondeur s'engage à s'y préparer au mieux ! Comme prévu, la déclinaison du 5 nm, comme le 6 nm en est une du 7 nm, le 4 nm est toujours programmé pour une production de risque d'ici la fin de l'année, préparant le terrain pour une production en volume avec EUV pour 2022. Et en raison de l'expérience de TSMC avec le 5 nm, les rendements et les performances devraient d'emblée être d'un très bon niveau.

Mais 2022 sera aussi déjà l'année du 3 nm, prévu pour la deuxième moitié du cycle. On rappelle que cette étape promet 10 à 15 % de performance en plus ou une réduction de 25 à 30 % de la consommation par rapport au 5 nm, tout en offrant une meilleure densité. Il mélangera toujours couches EUV et lithographie DUV, et se contentera encore de transistors FinFET. Ce dernier point peut déjà sembler être un désavantage face au 3 nm GAAFET/MBCFET que Samsung proposera à ce moment-là, mais le procédé à base de FinFET de TSMC aura l'avantage d'être rétrocompatible avec les outils et designs existants. En tout cas, TSMC anticipe là encore un grand succès pour le 3 nm et pour bon nombre d'usages ! Et après ? Le fondeur taïwanais ne sera pas en reste et ne chôme pas, il prépare lui aussi l'avenir avec le GAAFET, mais dont la première application n'est pas attendue avant le 2 nm. Un « après 3 nm » sur lequel les équipes R&D — fraîchement renflouées — de TSMC travaillent déjà d'arrache-pied, mais également pour établir des bases solides pour les plateformes des futures !  (Source)