Tout plein de couches chez Samsung et Micron |
————— 17 Avril 2024 à 10h00 —— 27216 vues
Tout plein de couches chez Samsung et Micron |
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En fin de semaine dernière, une source sud-coréenne révélait que Samsung prévoyait l’officialisation de sa 9e génération de NAND d’ici un mois. Hasard ou coïncidence, quelques jours plus tard, Micron réagit et parle de ses progrès en QLC. Si vous êtes une personne agée qui cherchait une promotion pour vos produits d'hygiène personelle, désolé, c'est ce qu'on appele du putaclic.
Chez Samsung, rien d’officiel, et donc des infos à prendre avec des — grosses — pincettes, mais le fondeur passerait donc de la TLC 236 couches telle qu’actuellement présente sur le 990 Pro à de la TLC 290 couches ! Cette augmentation en hauteur se ferait via un plus grand nombre de trous — pour relier les différentes couches entre elles — et donc une baisse de la densité de surface. Moins de puces par wafer, mais comme chaque puce embarque plus de couches, au final, la quantité de mémoire produite par wafer est bel et bien en augmentation. Les rumeurs font également état d’une V-NAND de 10e génération atteignant 430 couches d’ici 2025.
Afin de ne pas laisser toute la lumière à Samsung, il fallait bien que Micron réagisse. À moins que l’info sur la 9e génération Samsung n’aie « fuité » en prévision de l’annonce Micron et afin de leur couper l’herbe sous le pied. Quoi qu’il en soit, il est ici question de QLC 232 couches, une première pour ce type de mémoire. Si traditionnellement la QLC est une option plutôt entrée de gamme, ici Micron parvient à atteindre 2400 MT/, soit 50% de mieux que précédemment et le même genre de gain qu’avec la TLC 232 couches. De quoi atteindre des débits théoriques de 7,5 et 5,8 GBps en lecture et en écriture, autrement dit une vitesse de transfert assez proche de ce que permet une interface PCI-E 4.0 4X à 8 GBps.
QLC vs TLC | 2500 SSD | 2550 SSD | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
NAND | QLC 232 couches 2400 MT/s avec HMB | TLC 232 couches 2400 MT/s avec HMB | ||||
Interface | PCI-E 4.0 4X NVME 1.4c | PCI-E 4.0 (4X ?) NVME 1.4 | ||||
Capacités (Go) | 512 | 1000 | 2000 | 256 | 512 | 1000 |
Lecture séquentielle (Mo/s) |
6600 | 7100 | 7100 | 4500 | 5000 | 5000 |
Ecriture séquentielle (Mo/s) |
3650 | 5800 | 6000 | 2000 | 4000 | 4000 |
Lecture aléatoire (IOPS) |
530 K | 900 K | 1000 K | 380 K | 500 K | 550 K |
Ecriture aléatoire (IOPS) |
860 K | 1000 K | 1000 K | 400 K | 600 K | 600 K |
Endurance (TBW) | 200 | 300 | 600 | 150 | 300 | 600 |
Cette nouvelle NAND est d’ores et déjà mise à profit sur les SSD de la série 2500, un SSD destiné aux datacenters. Malgré son positionnement, en dessous de la série 2550 équipée en TLC, cette nouvelle gamme fait mieux à tous les niveaux, avec des débits largement supérieurs et des accès aléatoires presque doublés. En revanche, à capacité équivalente, l’endurance est en baisse, d’où le positionnement moins haut de gamme. Ceci s’explique naturellement par la gestion plus délicate des 16 niveaux de tension requis par la QLC, au lieu de 8 pour la TLC.
Reste à voir ce que feront Kioxia ou SK Hynix, mais ce dernier avait déjà annoncé plancher sur une variante TLC à plus de 300 couches qui devrait entrer en production d'ici 1 an.
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