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Micron, premier sur le marché à empiler les bits de NAND sur 232 couches !

Présentée pour la première fois en mai, la nouvelle NAND 3D 232 de couches de Micron est désormais entrée dans les canaux d'approvisionnement ! Le constructeur américain a donc officiellement repris la tête dans cette course effrénée face à Samsung, WD/Kioxia, SK Hynix et YMTC ! Sa nouvelle solution est une belle mise à jour par rapport à la génération 176L, la nouvelle densité de stockage a permis de réduire d'environ 28 % la taille de la puce, mesurant désormais à peine 11,5 x 13,5 mm, soit 155,25 mm², ce qui est accessoirement plus petit qu'un petit timbre de la poste américaine USPS.

La première référence introduite par Micron est de type TLC, elle se nomme B58R, la capacité de son die est de 1 Tb et ce sont 16 dies qui peuvent être casés dans le même assemblage, ce qui veut dire qu'une seule puce de cette NAND 3D TLC 232L pourra embarquer 2 To ! Micron affirme que sa puce possède une densité de 14,6 Gb mm² et que celle-ci est supérieure entre 30 et 100 % par rapport à la flash TLC de la concurrence. Chaque die devrait approximativement avoir une surface de 69 mm².

 

micron intro nand 3d 232 couches

 

micron presentation nand 3d 232 couches 1

 

micron presentation nand 3d 232 couches 2

 

micron presentation nand 3d 232 couches 3

 

Pour sa production, Micron a encore une fois utilisé sa technologie CMOS under the Array, qui en est désormais à sa 6e génération. Il faut aussi savoir que chaque die fini est en réalité constitué de deux dies de 116 couches liées ensemble selon un processus nommé string stacking. Naturellement, Micron vante aussi d'importants gains de performances, notamment grâce à sa nouvelle architecture sur 6 plans au lieu de 4 auparavant. Par exemple, la bande passante en écriture aurait gagné 100 % et celle en lecture 75 % par rapport à la génération 176L ! Vite, les SSD PCIe 6.0 pour en profiter !

Selon Micron, la nouvelle architecture améliore aussi les latences en écriture/lecture, grâce à une réduction des "collisions" des I/O sur les chemins internes, mais sans partager de chiffres précis. Idem pour la consommation et l'efficacité énergétique, là aussi Micron vante des gains, mais sans rentrer dans les détails. Pas plus de chiffres non plus sur l'endurance, celle-ci serait toutefois du même niveau que la génération précédente selon le fabricant, à savoir 1000 à 3000 cycles P/E pour les SSD mainstream et entre 5000 et 10000 pour les modèles d'entreprise. Micron affirme qu'on en apprendra plus sur ces caractéristiques à l'avenir. 

 

NANDMicronMicronMicronSamsungWD/KIOXIASK HynixYMTC
Disponible maintenant 232 couches 176 couches 128 couches 200 couches 162 couches 176 couches 128 couches
Densité par mm2 14,6 Gb/mm² 10,237 Gb/mm² 7,755 Gb/mm² 8,5 Gb/mm² 10,4 Gb/mm² 10,8 Gb/mm² 8,48 Gb/mm²
Capacité du die 1 Tb 512 Gb 512 Gb 1 Tb 1 Tb 512 Gb 512 Gb
Prochaine génération (lancement) ?

232 couches

(2022)

176 couches

(2021)

3xx couches

(?)

212 couches

(?)

238 couches

(2023)

196 couches

(2022)

 

Comme mentionné au tout début, cette nouvelle NAND 3D TLC 232 couches de Micron est d'ores et déjà disponible pour les clients OEM, elle va également être utilisée pour de nouveaux SSD mainstream chez Crucial à venir prochainement. Verra-t-on encore cette année des SSD - peut-être PCIe 5.0 - s'en servir ? Possible, mais ce n'est encore que le début de la production en volume de cette NAND, mais les quantités produites vont encore augmenter progressivement au fil du reste de l'année d'après Micron, et il faut également s'attendre à une déclinaison QLC, en sachant que la production en volume de la NAND 3D QLC 176L n'a été annoncé qu'en janvier dernier. Voilà, en attendant, Micron reprend donc de l'avance, notamment face à Samsung. Pour rappel, Micron avait aussi été le premier à proposer de la NAND 3D 176 couches. (Source : Micron, Tom's)

 

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