La 1ère puce 3GAE à sortir de chez Samsung serait un ASIC de minage

Conformément à sa dernière roadmap, le procédé 3GAE sera le premier node 3 nm commercial avec transistors gate-all-around (GAA), mais le fondeur coréen les appelle aussi MBCFET (pour multi-bridge channel field-effect transistors) de Samsung et sa carrière commerciale devrait débuter cette année, étant donné que Samsung en a démarré la production en juillet dernier. Une annonce qui avait été faite en grande pompe malgré l'absence notable d'informations quant aux premières puces exploitant le procédé 3GAE. On se doute qu'il s'agissait surtout de marquer le coup et permettre à Samsung de vanter son avance technologique à ses concurrents, notamment Intel et TSMC, chez qui l'on attend les transistors GAA seulement d'ici 2024/2025. En pratique, cette avance est déjà vraie depuis un moment en ce qui concerne les nouveaux procédés. Malgré cela, contrairement à TSMC, Samsung a jusqu'ici souvent été à la peine avec l'application et l'exécution à grande échelle de ses nouvelles technologies, nullifiant pour ainsi dire son avantage. En sera-t-il autrement cette fois-ci ? On verra bien.

TrendForce nous apprend aujourd'hui que Samsung planifierait de laisser (ou laisse déjà) son 3GAE être utilisé pour la fabrication d'ASIC de minage, qui serait ainsi la première puce commerciale à s'en servir. Un tel choix semblerait en fin de compte plutôt logique, ce type de puce étant généralement petit, assez basique et donc facile à produire, à l'inverse des SoC mobiles étant vastement plus complexes. De ce fait, ceci permettrait au fondeur coréen de vraiment prendre la main avec son 3GAE dans le cadre d'une production à grande échelle et d'en apprendre plus quant à ses particularités en matière de performance, de puissance ou encore de défauts. Il pourrait ainsi peaufiner ce qui doit/peut l'être sans trop de risque pour son propre agenda et avant de passer aux affaires plus sérieuses, qu'il pourrait ensuite aborder plus sereinement. Une telle stratégie n'est pas inédite, TSMC aussi avait laissé des vendeurs de systèmes de minage jouer le rôle de bêta-testeurs de ses nouveaux procédés avec la production de leurs ASIC. Ce fut le cas notamment pour le 5 nm. 

Mais quid alors des SoC pour ses smartphones Galaxy ? Selon TrendForce, ce ne serait en fait qu'à partir de l'année prochaine que Samsung commencera à produire du SoC mobile avec son procédé de fabrication 3GAE. Par conséquent, on peut en déduire que le nouveau node n'est actuellement pas dans les temps pour pouvoir coller avec le lancement de la prochaine génération de Galaxy, qui a lieu habituellement en début d'année. Leur futur SoC Exynos resterait donc probablement au 4 nm, mais peut-être dans une nouvelle version améliorée (SF4P ?). Il faudrait donc attendre encore un peu avant l'apparition du premier SoC 3 nm sur le marché et de pouvoir constater les bénéfices du nouveau procédé. (Source)