Samsung démarre la production de son 3 nm avec GAAFET !

Malgré les nombreuses rumeurs de retard et autres histoires de problèmes en interne avec le 3 nm et ses nouveaux transistors GAAFET, ainsi qu'un silence pas forcément encourageant à ce sujet jusqu'à présent en 2022, Samsung avait publiquement toujours maintenu son projet d'en lancer la production avant la fin de 2022. Eh bien, voilà qui est fait si l'on peut dire ainsi, le 3 nm n'est donc pas un vaporware !

Dans un communiqué pour le moins relativement spartiate, Samsung Foundry a officialisé une rumeur de fin avril et annoncé avec fierté le démarrage de la production du 3 nm avec GAAFET, dans un premier temps pour des processeurs « haute performance et faible consommation », sans plus de détails pour l'instant ! Néanmoins, le fondeur ayant pour habitude de se réserver les premières productions d'un nouveau node de fabrication, il y a fort à parier qu'on devrait voir arriver une puce 3 nm prochainement chez Samsung - hors SoC mobile, qui arriveront plus tard. On ne sait encore pas exactement duquel 3 nm il s'agit, mais il y a 99,9 % de chance qu'il s'agisse essentiellement du 3GAE, le premier procédé de le famille 3 nm chez Samsung.

Le problème de l'annonce, c'est que Samsung ne précise à aucun moment de quel type de production il s'agit, « en volume » n'est mentionné à aucun moment dans le communiqué - ce qui pourrait plus ou moins en partie être lié aux derniers troubles en interne, avec les histories de falsification des résultats de rendements pour les procédés avancés de l'entreprise, 3 nm inclut. Le coréen reste donc très prudent et ne dit encore à personne pour l'instant ce qu'il est réellement capable de produire et avec quel rendement. Rappelons que Samsung avait fabriqué les premières puces de test en 2021 avec un tape-out de SoC réussi, on peut donc spéculer que l'annonce du jour implique malgré tout bien le démarrage d'une production plus ou moins en volume. Dans tous les cas, cela n'en reste pas moins une avancée majeure pour le fondeur coréen, qui travaille sur le 3 nm avec GAAFET saveur MBCFET au moins depuis 2019 - année de l'annonce officielle.

Officiellement, en prenant pour point de référence le 5 nm (mais on ne sait pas lequel) le 3GAE peut aider à réduire la consommation de 45 % ou améliorer les performances 23 %, le tout avec une réduction de 16 % de la taille. Les chiffres initiaux de 2019 de Samsung effectuaient cette même comparaison avec le 7LPP.On ne sait donc pas non plus pour l'instant si le 3 nm que Samsung arrive désormais à produire correspond bien aux attentes initiales. Dans tous les cas, les choses devraient sensiblement s'améliorer avec la prochaine évolution 3GAP, qui pourrait arriver potentiellement d'ici un an. 

Bon, voilà qui est fait, même si l'exécution reste tout de même franchement floue, il faut le reconnaitre. Mais sur le plan technique, Samsung est donc virtuellement en avance sur TSMC, alors que ce dernier avait très fortement creusé l'écart depuis la génération 5 nm. Avec le 3 nm, TSMC a préféré rester prudent et a donc opté pour utiliser le transistor FinFET une dernière fois. Du fait de sa position d'outsider et face aux difficultés de conserver de gros clients, Samsung se devait évidemment de prendre des risques. Le coréen se retrouve ainsi en bonne position, au moins temporairement, pour reprendre un peu l'avantage, mais matérialiser celui-ci ne sera pas une mince affaire pour autant et il faudra pour cela que Samsung arrive à proposer un procédé performant, sans problèmes techniques et avec des rendements suffisamment élevés pour pouvoir convaincre une clientèle probablement encore un peu méfiante à ce stade du fait des ratés des années précédentes. (Source)