Test • Kioxia Exceria Plus G4 (Phison E31T + TLC 218L)

Côté tech

Comme d'hab : simple et efficace.

Les SSD PCIe 5.0, on ne peut pas dire que ce soit le kiff absolu. Passé les problèmes de chauffe initiaux, les performances autorisées par les 4 lignes PCIe 5.0, si elles affichent des chiffres assez hallucinants pour ceux qui montaient des Raptor de Western Digital en RAID pour essayer d'avoir un système réactif, n'apportent au final pas grand-chose par rapport aux bonnes unités PCIe 4.0... Voire PCIe 3.0 . L'intérêt de modèles moins véloces semble alors plus évident que jamais et c'est précisément le marché visé par ce Exceria plus G4 : un gentil contrôleur E31T, de la NAND récente aka BiCS 8 et un machin simple pour coûter pas cher. Un combo déjà croisé par exemple chez MSI avec le M560 ou Corsair avec le MP700 Elite.

Coté contrôleur donc, monsieur E31T répondant aux accusations de four à pizza du E26, s'affiche comme le roi de l'efficacité énergétique, à défaut de concourir au trône de la performance. Doté de trois cœurs Cortex-R5 à 1200 MHz et gravé en 7 nm chez TSMC, il carbure à coups de 4 canaux NAND moulinant jusqu'à 3200 MT/s, aptes à sortir 10,3 Go/s en lecture et 8,6 Go/s en écriture, avec 1,3 M / 1.5 M IOPS sur les accès aléatoires ; le tout sans usage de mémoire cache physiquement rattachée au SSD, mais ainsi dévolue à la RAM centrale — voyez plutôt l'encart un peu plus bas.

Le SSD PCIe 5.0 du pauvre en somme. Mais avec une consommation électrique maximale relevée d'environ 5 W — soit plus de moitié moins que l'E26 —, il bosse aussi en restant cool comme Gandalf face au Balrog avec le meilleur rapport Mo/s / watt actuel. Les batteries des portables apprécieront, tout comme les espaces confinés.

La NAND justement, elle est forcément maison : c'est de la BiCS 8. 218 couches au compteur, a comparer avec les 112 de la BiCS 5 et les 162 couches de la BiCS 6, avec 17,1 Gb/mm² de densité sur un die de 60 mm² — des chiffres estimés, Kioxia ne communiquant pas dessus.

Les puces moulinent à 3600 MT/s (+ 60 % par rapport à la BiCS 6) et sont théoriquement données pour une endurance 3000 cycles d'écriture / effacement — là encore , c'est une estimation.

La principale innovation de cette génération de BiCS réside dans son procédé de fabrication CBA, CMOS Directly Bonded to Array, faisant suite à CUA, CMOS Under Array, usité jusqu'alors. Cette dernière consiste à fabriquer séparément les circuits CMOS — qui contrôlent les cellules mémoires — et la matrice de cellules mémoires sur des wafers distincts ; ensuite, la gaufrette contenant la matrice de cellules mémoires est inversé, puis les deux wafers sont assemblés.

Le recuit est un procédé dans la fabrication des semi-conducteurs qui vient réorganiser et réparer la structure cristalline du silicium après les différentes étapes agressives du procédé industriel. Sur la génération précédente en CUA, la matrice des cellules mémoires est placée au-dessus du circuit CMOS suivi d'un traitement thermique, mais ce dernier affecte les performances des circuits NAND. Au-delà des coût mieux maitrisés, puisque distincts, l'avantage du CBA réside dans une application dédiée à chaque wafer du dit recuit, avec une application plus fine en fonction de la gaufrette, garantissant moins de restrictions thermiques et de fait de meilleures performances.

Le Exceria plus G4 à oilp avec son contrôleur E31T rebrandé. HBM oblige, la concentration en composants reste limitée.

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