Made in China 2025 : la NAND TLC 64L en volume chez YMTC, celle de 128L dans les bacs !

Le chinois Yangtze Memory Technologies (ou YMTC) aurait démarré la production en volume de puces NAND TLC 256Gb et 64 couches (64L), selon les sources de Digitimes. La technologie de la NAND TLC de YMTC serait basée sur son architecture de puce NAND baptisée Xtacking, entièrement développée en interne, parait-il. Le constructeur aurait réussi à améliorer petit à petit les rendements de son processus de fabrication et devrait être en mesure d'obtenir un débit de 100000 de NAND 3D 64L par mois pour commencer, principalement dans son usine située à Wuhan, avant de progresser vers une capacité mensuelle  de 150000 wafers.

Bien sûr, "seulement" 64 couches peuvent sembler peu alors que les concurrents coréens (SK Hynix, Samsung), japonais (Toshiba) et américains (Western Digital, Micron, Intel) sont presque tous plus ou moins avancés sur le coup des puces de 96 et 128 couches - SK Hynix fut le premier à avoir présenté une puce NAND 4D TLC 1Tb de 128 couches -, et la plupart préparent aussi déjà le terrain pour l'étape suivante encore plus dense. C'est certain pourquoi YMTC aurait apparemment décidé de faire l'impasse sur une génération 96L et de se viser directement les 128L, dont le développement serait ainsi déjà en avancement.

Yangtze Memory Technologies est un nouvel arrivant, mais ne sort pas de nulle part pour autant. Fondée en 2016, l'entreprise est en effet voué à un rôle majeur dans les ambitions de la Chine sur le marché des mémoires et sa maison-mère (et propriétaire à 51%) n'est autre que l'entreprise nationale Tsinghua Unigroup (une branche de la Tsinghua University du gouvernement chinois), et cette dernière est justement l'une des "startups" fortement sponsorisée spécifiquement pour prendre d’assaut le marché de la DRAM, au grand dam du cartel originel.

Par ailleurs, afin de mieux servir ses ambitions et surtout garantir son autonomie, Tsinghua Unigroup a récemment également lancé la construction d'une nouvelle usine à Chengdu, qui sera équipée de lignes de production de wafers de 12 pouces pour NAND 3D. Cette fabrique est prévue pour être achevée et opérationnelle entre 2021 et 2022, et produirait initialement près de 100000 wafers par mois. En sus, le constructeur planifierait d'augmenter les capacités de production de mémoire flash de son usine à Nanjing.

Il reste pour le moment difficile d'estimer précisément l'impact, au moins initial, qu'auront les réalisations de tous ces projets, alors que la majorité de la mémoire (NAND et DRAM) produite en Chine devrait a priori être consommée localement. Néanmoins, cela signifierait que les constructeurs chinois seraient aussi beaucoup moins demandeurs de mémoires coréennes, japonaises ou américaines, et dont une part plus importante serait ainsi disponible pour le reste du monde. Ce n'est pas un hasard que la majorité des producteurs coréens ont déjà commencé à ralentir leur production et d'annuler des projets d'expansion pour tenter de limiter la casse d'un marché saturé et anticiper les conséquences des actions d'un voisin bien trop ambitieux ! (Source)