Samsung débute la production de ses puces mémoire gravées en 10nm

En 2014, Samsung débutait sa production de masse de puces mémoire de 512Mo de DDR4 gravées en 20nm. Deux ans plus tard, ce sont celles de 1 gigot de DDR4 gravées en 1xnm qui commencent leur vie commerciale, avec une valeur non donnée par le communiqué de presse. La méthode utilisée est l'usage de fluorure d'argon par immersion sans utilisation d'exposition aux ultraviolets. Avec cette méthode et cette finesse, les rendements de productions sont améliorés de 30%. Autre point intéressant, c'est que ces puces de 1Go peuvent fonctionner à 3200 MHz, soit la DDR4 3200, ce qui est 30% plus rapide que la DDR4 2400 gravées en 20nm.

Tout au long de l'année, la production va migrer vers ce 10nm, et il n'est pas impossible de voir arriver des barrettes de plus de 16Go, Samsung parle même de modules de 128Go pour les serveurs. Il s'agit assurément de la 3è génération de DDR4 qui commence sa vie commerciale, et qui aura comme avantage de faire chuter encore un peu plus les coûts sur le court terme. Et tout ce qui nous fait payer moins cher est bon pour nous tous, voilà la devise de tous les noms cités par le panama papers !