Samsung lance la production de masse de ses puces de 512Mo de DDR3 gravées en 20nm

Samsung est fier d'annoncer qu'il a débuté la production de masse de puces de 512Mo de DDR3 gravées en 20nm. En mettant au point ce procédé, la firme a aussi franchi une étape qui lui permettra d'atteindre le seuil des 10nm relativement rapidement. La productivité avec ces puces est de 30% supérieure aux les anciennes 25nm, et presque le double que celles gravées en 30nm. Ces puces de 512Mo de DDR3 sont capables également de sucer 25% d'énergie en moins toujours par rapport à l'ancien roi 25nm.

Tous les appareils devraient donc être impactés par ces puces, on pense aux tablettes et smartphones, mais aussi aux barrettes de RAM pour le public et les pros, voire les cartes graphiques d'entrée de gamme. Ce ne sont pas des puces NAND Flash, donc on ne retrouvera pas ces modules dans des SSD en revanche, unités de stockage où les interconnexions entre les puces sont bien plus simplifiées que dans une barrette par exemple. (Sources diverses)