La DDR3 low profile 1.35V 30nm de Samsung testée

Techpowerup a testé ce qui semble être l'avenir de la DDR3. Certes il s'obscurcira quand la DDR4 sera là, mais pour l'instant elle a encore plein d'avenir. Samsung possède un kit 2x4Go DDR3 PC3-12800 ou DDR3 1600MHz si vous préférez, qui a quatre particularités. La première est quand même pas terrible, ce sont les latences, annoncées à 11-11-11-28. La seconde est que les puces embarquées sont gravées en 30nm sur un pcb de 6 couches. La troisième est que les barrettes sont des vraies barrettes low profile, à ce titre elles mesurent moins de 2cm de hauteur (Kingston une époque proposait de telles barrettes DDR2). Et pour finir la tension est de 1.35V.

On a appris cette semaine que les successeurs d'ivy Bridge n'aimeront que la RAM ne dépassant pas 1.5V, ce genre de kit signé Samsung aura donc une importance à jouer dans le futur proche de la DDR3, et d'ici là il y aura sûrement de quoi taper des latences classiques de 8 ou 9 avec des tensions basses 1.35V, et ce en DDR3 1600. Bien entendu certains se remémoreront les kit G.Skill Eco (test chez sur CDH), mais ils n'étaient pas low profile, ou encore la DDR3 1600 1.2V de feu Elpida. Allez un test vous attend, ne le faites pas attendre plus !

Le test chez  nos confrères