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Le High-NA EUV, pas avant 2030 pour Samsung

Samsung Foundry risque d’être l’un des derniers grands fondeurs à adopter la lithographie High-NA EUV. D’après ZDNet Korea, le groupe sud-coréen ne commencera à utiliser cette technologie qu’avec son futur procédé de fabrication en 1 nm, attendu pour 2030 au plus tôt.

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© Samsung

Intel en avance sur son temps

Intel a été le premier fondeur à recevoir des scanners ASML de ce type. Depuis, l’entreprise se prépare progressivement à la production à risque en 14A.

De son côté, TSMC prévoit d'y avoir recours à partir de 2029. Le fondeur taïwanais estime qu’il peut maintenir son avantage concurrentiel grâce à la technologie EUV Low-NA existante. Autrement dit, en l’état, le calendrier d’adoption du High-NA ne reflète pas vraiment la position des fondeurs dans la course aux nœuds.

Cette réticence, ou, pour le présenter de manière plus positive, cette volonté de maximiser les capacités de la lithographie EUV Low-NA, est notamment dictée par des considérations financières. Kevin Zhang, vice-président du développement commercial chez TSMC, qualifiait le passage à la lithographie EUV High-NA « d'extrêmement coûteux » en avril dernier. Factuellement, une machine Low-NA coûte environ deux fois moins cher que les systèmes High-NA EUV haut de gamme. Et on ne parle naturellement pas de petites sommes : un scanner EUV High-NA avoisine les 400 millions de dollars. En acquérir plusieurs représente donc un investissement colossal, même ces mastodontes.

Jusqu’ici, TSMC s’est donc abstenu. Samsung semble vouloir suivre la même stratégie et repousser l’acquisition de machines High-NA aussi longtemps que les équipements Low-NA permettent d’obtenir les gains recherchés.

L’alternative via la lithographie EUV Low-NA repose notamment sur la technique du multi-patterning, qui consiste à effectuer plusieurs passages avec une machine EUV pour graver un motif sur une même couche. Reste que cette méthode a aussi ses limites. Elle nécessite davantage d’étapes de fabrication, ce qui augmente aussi les coûts et réduit la productivité. La multiplication des expositions reste également un défi technique, puisqu’elle complique l’alignement des motifs et augmente le risque d’erreurs de superposition.

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