COMPTOIR
register

Intel et son 10 nm : d'une conception trop agressive aux déboires de Cannon Lake

Ce n’est un secret pour personne, le 10 nm Intel a été une arlésienne digne des plus gros vaporwares, avec un retard accumulé de plus de 5 ans, ayant donné naissance à un (trop) grand nombre de refreshs de la 6ème itération de l’architecture Core, Skylake.

 

intel love 14nm cdh

 

En effet, alors qu’Intel utilisait auparavant un schéma Tick-Tock (rien à voir avec l’application sociale chinoise) consistant à améliorer la finesse de gravure à architecture constante d’une part, puis retravailler la microarchitecture tout en conservant la même finesse d’autre part. Ce choix est on ne peut plus rentable du point de vue de développement : utiliser une architecture connue pour étalonner une nouvelle finesse permet de quantifier aisément les gains, de même qu’une finesse connue permet de gagner du temps sur la mise en application de nouveaux circuits logiques.

 

C’est, entre autres, ce schéma qui a permis au géant bleu de se trouver dans une position dominante tant que les progrès des lithographies suivaient, avec la canonique suite des premiers i7 : Nehalem, Sandy Bridge, Ivy Bridge, Haswell, Broadwell, Skylake. L’histoire est désormais connue de tous : Cannon Lake, qui aurait dû être le die shrink de Skylake n’a jamais vu le jour (excepté les i3-8121U, probablement issues des lignes de tests de 10 nm), faute d’une gravure stable.

 

Comment cela a-t-il pu être possible ? Regardons ensemble les objectifs de chaque gravure par rapport au concurrent. Notez bien que les tailles n’ont plus rien à voir avec l’appellation commerciale, car la taille est donnée en équivalent par rapport aux transistors en 2D pure (c’est-à-dire « la finesse de gravure équivalente qu’il faudrait avoir en gardant uniquement les technologies du 32 nm pour obtenir des performances similaires »), et nous constatons, effectivement, que le 10 nm d’Intel est loin d’être équivalent au 10 nm TSMC... Une constatation qui ne nous étonne pas vraiment, puisque l’analyse du 7 nm faisait déjà état des mêmes faits.

 

CaractéristiqueIntel 14 nmIntel 10 nmTSMC 10 nmTSMC 7 nm
Technologie DUV DUV DUV EUV
Fin Pitch 42 nm 34 nm 36 nm 30 nm
Gate Pitch 70 nm 54 nm (Haute Densité) 66 nm

57 nm (Haute Densité)

60 nm (Hautes Performances)

Min Metal Pitch 52 nm 36 nm 42 nm 40 nm
Hauteur cellule 399 nm 272 nm (HD) ? ?

 

Inutile de rentrer plus dans le technique, mis à part le fait que ces grandeurs correspondent à différentes mesures de la taille d’une cellule comprenant plusieurs transistors ; ces premières devant être préférablement faibles pour limiter la consommation. Notez qu’un grand gate pitch améliore significativement la montée en fréquence au détriment de la consommation (c’est d’ailleurs ce qui a été fait pour la 9e génération de CPU Intel avec le passage de 70 nm à 84 nm, d’où la barrière franchie des 5 GHz ; et qui explique la différence entre le 14 nm utilisé pour graver le chipset et les CPU mobiles, et le 14 nm pour les CPU de bureau hautes performances). Sur les valeurs de gate pitch et de min metal pitch, les bleus ont été plus gourmands que le (premier) 7 nm de TSMC, tout en refusant l’utilisation de l’EUV.

 

transistor fin improvement wikichip

Les progrès des finesses de gravure, en images

 

Le projet était, à l’époque, de consommer 50 % moins à fréquence égale, ce qui se traduit par 25 % de performances en plus à consommation égale, le tout accompagné d’un facteur 2,7 sur la densité des cellules. Pour cela, le géant bleu utilise un assemblage de diverses technologies comprenant une manufacture composée de 13 couches, un procédé appelé COAG (Contact Over Active Gate), des interconnecte en cobalt, ainsi que de nombreuses autres optimisations.

 

Tout ne s'est pas passé comme prévu : en juillet 2015, Intel accuse une mauvaise mise au point des étapes répétitives nécessaires à l’application des couches et blâme des rendement miséreux, et promettait encore une production stable en 2017... Il a en fin de compte fallu attendre 2019 et la seconde génération de 10 nm, parfois appelée à tort 10 nm+, pour obtenir des processeurs en grande quantité, en passant par l’Israël qui a, au passage, dû modifier le procédé initial.

 

Pour la suite, Tiger Lake devrait inaugurer le 10 nm+, en espérant répondre aux attentes des intégrateurs, espérant un ratio performance/consommation dépassant TSMC (et ainsi AMD) afin de conserver leur partenariat. Néanmoins, un 10nm++ serait également dans la ligne de visée de la firme, alors même que 2021 serait annoncé comme le début de la production du 7 nm, dont le fameux Ponte Vecchio fera usage. Un beau sac de nœuds, donc, mais porteur d’espoir pour un renouveau de la firme... dans, encore, une bonne poignée de mois. En attendant, il faudra se contenter de Comet Lake pour les utilisateurs les plus demandeurs. (Source : EEtimes)

Un poil avant ?

Deux nouvelles versions de la GTX 1650 à l'horizon ?

Un peu plus tard ...

Le nouveau navigateur Edge sera inclus dans la prochaine MAJ Windows 10

Les 17 ragots
Les ragots sont actuellement
ouverts à tous, c'est open bar !
par Un ragoteur bio en Auvergne-Rhône-Alpes, le Lundi 22 Juin 2020 à 21h50  
Intel fait son show pour rassurer ses actionnaires mais sans être capable
de garantir la bonne exécution de ses promesses pour l'avenir...

source:
https://www.anandtech.com/show/15865/intel-to-use-nanowirenanoribbon-transistors-in-volume-in-five-years
par johnsdoeuf, le Jeudi 18 Juin 2020 à 10h40  
"Il a en fin de compte fallu attendre 2019 et la seconde génération de 10 nm, parfois appelée à tort 10 nm+, pour obtenir des processeurs en grande quantité"

J'ai raté quelque chose?
Pour moi, le dernier refresh est encore en 14nm+++++.

par Un adepte de Godwin en Bavière, le Mercredi 17 Juin 2020 à 22h51  
Article très intéressant qui répond à pas mal de mes questions, merci beaucoup !
par Unragoteursansespace en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mercredi 17 Juin 2020 à 21h25  
par Back Orifice, le Mercredi 17 Juin 2020 à 19h55
Il parait qu'un actionnaire, c'est quelqu'un qui vit des actions des autres 8)
Légende urbaine, le CAC40 ne verse pas de dividendes (loyer de l'argent)
mais l'actionnaire doit continuer de payer son loyer ou son crédit
immobilier.

Monter une bulle techno pyramidale à la Bernard MADOFF est bien plus juteux
grâce à l'octroi de stock options indexés sur le cours de bourse
plutôt que sur les profits de l'entreprise.

 

Lisa Su of Advanced Micro Devices is the first woman ever to top The
Associated Press' annual survey of CEO compensation: Her 2019 pay package
was valued at $58.5 million following a strong performance for the
company's stock during her five years
as CEO.


source:
https://abcnews.go.com/US/wireStory/amds-lisa-su-woman-top-aps-ceo-pay-70904914

Certains essaient de faire monter la sauce sur feu Alternext mais la french
tech ne fait pas rêver le monde sinon les dirigeants de miroirs aux alouettes
qui s'y introduisent.
par Etropmej en Île-de-France, le Mercredi 17 Juin 2020 à 21h16  
WikiChip - 32nm

Chose aussi intéressante, le 32nm d'Intel serait en fait du 112.5 nm mais c'est bizarre du coup vu que ce n'était pas encore du FinFET.

Par contre, ça colle au fait qu'Intel utilisait le Gate Length au lieu du Half-Pitch comme dit dans les sources, parce qu'il fait 30nm.

Je ne comprends pas pour le 32nm du coup.
par Etropmej en Île-de-France, le Mercredi 17 Juin 2020 à 21h12  
par Nicolas D., le Mercredi 17 Juin 2020 à 18h31
Apparemment on parle bien de "Half-Pitch Node": TELESCOPE Magazine

Mais choses intéressantes:
- On apprend que même Intel ne respecte pas les normes faites par l'ITRS, vu qu'ils préfèrent le Gate Length au Half Pitch initial quand on parle de Process de Gravure.
- "Transistor gate pitch is also referred to as CPP (contacted poly pitch) and interconnect pitch is also referred to as MMP (minimum metal pitch)."
- "The ITRS's original naming of this technology node was "11 nm". According to the 2007 edition of the roadmap, by the year 2022, the half-pitch (i.e., half the distance between identical features in an array) for a DRAM should be 11 nm"
- ""The ITRS technology nodes [...] is defined as the minimum metal pitch used on any product, for example, either DRAM half-pitch or Metal 1 (M1) half-pitch in Logic/MPU."

Définitions (à Ctrl-F
DRAM Half-Pitch is the word

En conclusion: Le "Minimum Metal Pitch" sur Wikichip est le vrai node.

On est donc en 40nm avec le "7nm" TSMC, Intel est 52nm avec son "14nm" et le "7nm" et "5nm" Samsung sont quasiment identiques avec 36nm

On voit aussi que le Gate Length est useless.

C'est passionant, vraiment.
par Back Orifice, le Mercredi 17 Juin 2020 à 19h55
Joli !
par -Nax-- des Hauts-de-France, le Mercredi 17 Juin 2020 à 20h38  
Super intéressant comme article .
par Back Orifice, le Mercredi 17 Juin 2020 à 19h55  
par Un ragoteur qui draille en Île-de-France, le Mercredi 17 Juin 2020 à 15h23
Bob Swan a plus l'air de vouloir engraisser les parasites que de vraiment investir en R&D.
Il parait qu'un actionnaire, c'est quelqu'un qui vit des actions des autres
par Nicolas D., le Mercredi 17 Juin 2020 à 18h31  
par Entropmej en Île-de-France, le Mercredi 17 Juin 2020 à 15h31
Du coup, "32nm" correspondrait à quoi exactement ?

Le graphène on en a encore pour une vingtaine d'années avant que ça arrive en production de masse.
Chose rassurante, ça devrait arriver en même temps que lorsqu'on atteindra les limites du silicium.
32 nm c'est la distance moyenne entre deux transistors (half-pitch), là où le gate pitch est, il me semble, une caractéristique d'un seul transistor... Mais je n'en suis pas certain, je suis loins d'être un expert en lithographie...
par Entropmej en Île-de-France, le Mercredi 17 Juin 2020 à 15h31  
par Nicolas D., le Mercredi 17 Juin 2020 à 15h21
Je ne suis pas sûr que le 30 nm de "Gate Pinch" soit à 100 % le même que le 32 nm du nom de la gravure. Par contre, pour les pm, ca serait cohérent, à moins que l'on passe au graphène ou aux virgules (il était question de 2,5 nm par exemple à un moment).
Du coup, "32nm" correspondrait à quoi exactement ?

Le graphène on en a encore pour une vingtaine d'années avant que ça arrive en production de masse.
Chose rassurante, ça devrait arriver en même temps que lorsqu'on atteindra les limites du silicium.
par Un ragoteur qui draille en Île-de-France, le Mercredi 17 Juin 2020 à 15h23  
par Un ragoteur des lumières en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mercredi 17 Juin 2020 à 14h20
Rien de neuf sous le soleil Intel, le 10 nm est une impasse technologique
mais j'imagine que le lobby interne des fonderies est fort chez Intel.

Bozo SWAN qui est un pur financier devrait y mettre un terme définitif et
passer à autre chose en dépensant plus de fric dans la conception que
dans les rachats d'actions pour soutenir misérablement la valorisation
du titre INTC afin de décrocher son bonus.

Quelques chiffres pour l'année fiscale 2019:
- rachat d'actions: $13,6 milliards
- dividendes: $5,6 milliards
- R&D: $13,4 milliards

source:
https://s21.q4cdn.com/600692695/files/doc_financials/2019/Q4/Q419-Earnings-Deck.pdf
C'est un peu ce qui était reproché à Brian Kraznich, un ingénieur passé pur financier. On a vu le résultat que ça a donné.

Et justement, qui dit financier dit réduction des coûts au maximums, même pour la R&D quand on voit qu'Intel a drastiquement moins investi depuis 2012... ce qui correspond à l'année d'arrivée de Brian Kraznich.

.pdf]2012 Annual Report

D'ailleurs selon ton lien:
- Dividends Per Share 2017: $1.0775
- Dividends Per Share 2018: $1.20
- Dividends Per Share 2019: $1.26

- R&D 2017: $13.0 Milliards
- R&D 2018: $13.5 Milliards
- R&D 2019: $13.4 Milliards

Bob Swan a plus l'air de vouloir engraisser les parasites que de vraiment investir en R&D.

Bref, remplacer un financier par un autre financier, il risque d'y avoir du "changement" chez Intel.
par Nicolas D., le Mercredi 17 Juin 2020 à 15h21  
par Entropmej en Île-de-France, le Mercredi 17 Juin 2020 à 13h59
Par contre ça va être drôle les prochaines années:

On sait que la limite absolue pour le silicium est de 5nm, or on nous dit que le 4nm et le 2nm sont en cours de recherche alors que l'on sait que c'est une dénomination commerciale (FinFet vs planaire, etc).

Va t'on avoir des finesses de gravure de "900pm" (picomètre), "700pm", etc et autres fourberies ?

D'ailleurs, quand on disait 32nm à l'époque, c'était 30nm si j'ai bien compris: WikiChip - 32nm ?

Mais pourquoi 32nm alors ?
Y'a aussi le "Common Platform Alliance", encore une autre mesure que l'ITRS ?
Je ne suis pas sûr que le 30 nm de "Gate Pinch" soit à 100 % le même que le 32 nm du nom de la gravure. Par contre, pour les pm, ca serait cohérent, à moins que l'on passe au graphène ou aux virgules (il était question de 2,5 nm par exemple à un moment).