TSMC vs Samsung : Récapitulatif d'une bataille goût 7 nm

Bon, on fait souvent le point au comptoir sur les faiblesses ou les forces de chaque fonderie, le fait qu'Intel ait en général des noms de gravure plus gros que ses concurrents à performance égale, ou encore que les noms des nœuds soient complètement décorrélé des caractéristiques réelles du procédé. Pour une fois, jetons-nous dans les caractéristiques, avec l'aide bienvenue de SemiWiki.

Les deux candidats sur le ring sont TSMC et Samsung pour du 7nm, ce qui n'est pas sans rappeler l'époque où les deux entreprises étaient en concurrence directe pour la production de l'Apple A9 en respectivement 16 et 14 nanomètres. Voyons maintenant ce qu'il en est pour ce 7 nm, toutes versions confondues :

Alors là, on est bien avancé n'est-ce pas ? Avant que l'on se demande ce qu'est un mot de passe de 40 nm, petite traduction : le CPP est le Contacted Poly Pitch et le M2P Minimum Metal Pitch, tous deux des mesures de distances correspondant à un facteur près aux dimensions d'une cellule (elle-même brique de base de nos puces) : d'un côté le CPP (facile) et de l'autre le M2P multiplié par le nombre de pistes. On ne vous fait pas de dessin, plus c'est petit mieux c'est : pour effectuer un doublement de densité, il faut grosso modo multiplier par 0,7 ces deux quantités. Pour ce qui est des Tracks, il s'agit de la hauteur en nombre de pistes ; ici aussi, on préférera des valeurs petites. Notez de plus que les procédés FinFET actuels produisent des transistors tridimensionnels, c'est pourquoi les densités ne sont pas directement proportionnelles aux quantités précédentes... Bref, tout pour nous embrouiller.

Finalement, sur papier, on ne voit que peu de différences entre ces deux processus. Rien n'est cependant dit sur la qualité de fabrication, chose pouvant influer sur les courants de fuite par exemple et ainsi la marge de montée en fréquence. A quand Intel de nouveau dans la bataille ?

Gravé fin ou non, plus c'est gris plus c'est bon !