Les SSD 850 EVO de Samsung et leur mémoire TLC V-NAND passés au peigne fin

Les 850 EVO de Samsung étaient référencés depuis la fin du mois de novembre sans avoir été officialisés par le géant coréen. C'est désormais le cas et certains de nos confrères ont donc pu mettre la main sur des exemplaires pour voir ce qu'ils avaient dans le ventre. Pour rappel, les 850 EVO sont des SSD équipés de puces de mémoire V-NAND 3D gravées en 40nm et utilisant 3 bits par cellule (TLC) contrairement à la MLC des 850 Pro.

Les 850 Evo utilisent deux contrôleurs : un MGX maison pour les 120, 250 et 500 Go avec ses deux coeurs ARM. Le modèle de 1 To est équipé d'un MEX avec trois coeurs Cortex R4. Pour les performances en lecture et écriture séquentielle, tout le monde est logé à la même enseigne avec respectivement 540 et 520 Mo/s. Ca, c'est quand le Turbo Write est activé, ce qui utilise certaines puces de mémoire en mode MLC. Quand il est désactivé, les débits en écriture chutent à 150, 300 et 500 Mo/s pour les modèles 120, 250 et 500 Go. En lecture et écriture aléatoire, on oscille entre 94 / 98k IOPS et 40k IOPS avec Turbo Write.

Plusieurs de nos confrères ont alors testé les SSD 850 EVO, à l'image d'Anandtech qui a mis la main sur les modèles 250, 500 et 1 To ou encore PCPer avec les modèles 120 et 500 Go mais aussi Guru 3D avec le 500 Go, également TweakTown en 250 et 1 To et enfin Legit Review en 120 et 250 Go. Il y en a pour tous les goûts !

850 EVO en 250, 500 et 1000 Gigots chez Anandtech

120 et 500 Go chez le Gourou de la 3D

Bidouilleurs des Villes en 250 Go et la même 1000 GoUn Test Réglo en 120 et 250 Go