La 3e génération de DRAM 10 nm en bonne voie chez Samsung

Tout d'abord, on rappellera que la mention 10 nm est d'autant plus flou dans le cas de la DRAM qu'elle ne l'est pour le reste des machins gravés au silicium, et n'est pas interprétée de la même manière par tout le monde. En pratique, la notion de DRAM 10nm s’étale sur une fourchette de 10 à 20 nm; on avait ainsi dans un premier temps la DRAM 1x, sous-entendu un procédé de 16 à 19 nm, puis la DRAM 1y, c'est-à-dire des puces de 14 à 16 nm - soit la seconde génération dont on avait causé l'année dernière. Évolution logique, Samsung n'est pas peu peu fier d'annoncer qu'il ne lui a fallu que 16 mois pour transiter vers la production de DRAM 1z, autrement dit sa troisième génération, sans toutefois rentrer dans les détails plus techniques.

Une annonce qui reste donc malheureusement très marketing pour des puces dont on supputera sans trop de risque un procédé situé entre 12 et 14 nm, puisque Samsung se contente de vanter une augmentation de 20% des rendements par wafer entre 1y et 1z. La production se fera sans l'aide de la technologie EUV, ce qui n'est pas une surprise compte tenu d'un usage pour le moment exclusif aux puces complexes (SoC, CPU) les plus récentes et que la fabrication de DRAM ne se trouve habituellement pas en pointe de la technologie. En tout cas, le coréen se prépare a faire décoller la production au cours de la seconde moitié de l'année, notamment de puces DDR4 de 8Gb, pour fournir serveurs et PC haute performance au programme pour 2020. Bien sûr, que Samsung se fasse la main avec un procédé 1z plus avancé profitera à terme aussi à la future DDR5 et LPDDR5, ou encore la GDDR6, et donc à la continuité de sa domination sur le marché super fun de la mémoire. (Source)