Intel 4, TSMC N5 : kiki le meilleur dans tout ça ?

Entre Intel et TSMC, la bataille fait rage. Le premier, longtemps leader en matière de lithographie — c’est-à-dire de technologie permettant de graver vos puces préférées —, a connu une traversée du désert pas chouette du tout sur la fin des années Krzanich et les moult retards du 10 nm. De l’autre, les Taïwanais ont continué leur petit bonhomme de chemin, si bien que les bleus ont finalement réalisé une opération de renommage, alignant leurs anciennes appellations plutôt agressives sur des numéros toujours plus abstraits, mais semble-t-il plutôt comparable avec la concurrence.

Sauf que, pour juger au-delà des dénominations marketing, il faut du chiffre ; et c’est justement là que les choses se compliquent, car les firmes sont loin d’être transparentes sur ces points-là. Heureusement, Twitter peut alors entrer en scène avec ses rumeurs et autres compilations de chiffres, pas toujours des plus sourcées. Aujourd’hui, c’est à un @witeken, plutôt calé en la matière à en croire ses publications, de compiler quelques chiffres comparant le Intel 7 — à l’œuvre sur Alder Lake — au futur Intel 4, ainsi qu’au concurrent TSMC, avec le N5, pas encore disponible sur nos PC de bural (hors Mac), et le prochain N3.

Tout d’abord, il est — une fois de plus… — frappant de constater que rien ne s’approche des 7 ou 5 nm : les « vraies » dimensions des transistors (gate pitch, fin pitch, etc) sont davantage de l’ordre des 30 nm ! Qu’à cela ne tienne, la structure tridimensionnelle du FinFET permet de tirer toujours plus de densité des morceaux de silicium, ce qui offre une métrique plutôt fiable de comparaison interprocédé. Ainsi, si l’Intel 7 est en retard par rapport au N5 de TSMC avec 80 millions de transistors par mm² pour la version haute performance, TSMC en est à 130 ! Cependant, avec l’Intel 4, les bleus devraient retrouver leur couronne, avec 160 MTr/mm²… jusqu’au N3, qui repousserait encore plus loin ces limites (près de 210 MTr/mm²). Notez qu’une version « haute densité » est également disponible pour chaque procédé, troquant de la capacité à monter en fréquence pour une assemblage encore plus compact des circuits. Enfin, alors que le 10 nm/Intel 10 et Intel 7 faisaient usage de cobalt pour les couches métalliques de liaison intertransistors, l’Intel 4 se contenterait de cuivre « amélioré », quoi que cela veuille dire ; s’alignant ainsi sur TSMC. Reste à voir ce qu’il en sera en pratique dans de vrais CPU !

 Une galette de silicium qui vaut de l’or !