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Intel annonce produire massivement des puces en nanowire d'ici 5 ans

Le développement des nouveaux transistors est un sujet primordial pour l'évolution des méthodes de gravure des dies, afin d'optimiser de plus en plus le rendement et la stabilité des prochaines puces. Si les différents fondeurs cherchent à réduire la taille des gravures, il faut cependant revoir l'architecture elle-même des composants, ce qui se profile petit à petit avec les structures en GAAFET, qui sont déjà prévues chez certains fondeurs comme TSMC et Samsung. Et à partir de maintenant, c'est au tour d'Intel d'annoncer ses délais avant le passage aux GAAFET sur ses produits, en parlant d'une possibilité de production en masse dans les cinq prochaines années.

 

 

Lors de la conférence du VLSI, le CTO Mike Mayberry a présenté quelques innovations à venir pour les prochaines années, démontrant les besoins de plus en plus complexes de l'informatique et la demande en unités de calcul. Les possibilités d'améliorer la construction des puces de demain sont nombreuses, comme l'orientation vers la création de circuits en 3D chez les bleus. Il faut rappeler aussi qu'à côté des CPU ou de la mémoire, le fabricant fait aussi dans le domaine professionnel, les serveurs ou les FPGA, et ont développé de nombreuses technologies prometteuses pour les années qui viennent. Le passage aux GAAFET pourrait donc en faire partie et serait intéressant, permettant de montrer que ce n'est pas toujours la taille qui compte lorsque l'on parle de gravure. (source : Anandtech)

 

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Un poil avant ?

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Un peu plus tard ...

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Les 21 ragots
Les ragots sont actuellement
ouverts à tous, c'est open bar !
Message de Etropmej en Île-de-France supprimé par un modérateur : hs
par Jemporte, le Mardi 23 Juin 2020 à 22h04  
Cette news m'a fait tousser (non pas le Covid19). Intel n'en est plus à une annonce près.
Ils vont être les premiers sur le 10nm, puis ils vont tout défoncer en 7nm EUV valant 5nm chez les autres. Maintenant que les autres sont déjà en train de préparer leur 3/4nm GAAFET, Intel nous annoncent qu'ils sont aussi de la partie... dans 5 ans.
Autant dire que quand Samsung ou TSMC annonce un truc, on l'obtient dans les 2/3 ans, Intel jamais. Alors quand ils annoncent 5 ans, c'est que probablement ils ont pas encore commencé à chercher tellement ils sont dans la mouise avec leur 10nm DUV, et que leur 7nm EUV, on n'en a pas vu l'ombre d'un début de présentation, alors qu'initialement ils auraient dû être censés en produire déjà et en cours de basculer leur usines pour un passage complet.
Moi, j'ai tendance à tenir le pari qu'on verra pas de 7nm made in Intel en 2021 (leur dernière promesse promis juré sur la tête... de Krzanich). On verra tout au plus un hybride pas trop plein de cores par puce (probablement 4 voire 8), en 10nm avec un contrôleur 14nm, et avec un GPU 7nm gravé chez TSMC ou Samsung, le tout monté en hybride à la manière des CPU d'AMD.
par Une ragoteuse à forte poitrine en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 20h44  
par Un ragoteur de transit en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 20h02
Les procédés à l'étude s'attaquent spécifiquement à la résistance du canal
de conduction entre source et drain et non à la résistance de fuite entre
grille et drain.
ah sorry, oui effectivement petite erreur je veux bien entendu dire transistor ouvert pas fermé
par Une ragoteuse à forte poitrine en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 20h38  
par Un ragoteur de transit en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 20h02
Il faudrait sérieusement travailler ton dossier car il existe plusieurs
résistances pour le tripôle qu'est un transistor.

Les procédés à l'étude s'attaquent spécifiquement à la résistance du canal
de conduction entre source et drain et non à la résistance de fuite entre
grille et drain.
Explique moi à quel moment tu comprends que je parle de résistance entre grille et drain ?
par Un ragoteur de transit en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 20h02  
par Une ragoteuse à forte poitrine en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 17h50
Alors pas du tout. Dans un transistor il y a deux types de pertes
majoritaires. Les pertes statiques et les pertes dynamiques.
Les pertes statique c'est le courant qui passe alors qu'il ne devrait pas
quand le transistor est fermé. Pour éviter ça il faut augmenter la résistance
du transistor quand il est fermé, pas la baisser
.
Il faudrait sérieusement travailler ton dossier car il existe plusieurs
résistances pour le tripôle qu'est un transistor.

Augmenter la résistance pour limiter les courants de fuite dans la grille,
cela a déjà été réalisé en passant de l'oxyde de silicium à l'oxyde d'hafnium
pour la technologie 3D Tri-gate by Intel et en passant au nitrure de silicium
pour la technologie FinFET by TSMC/Samsung. Naturellement ces changements de
matériaux impactent les coûts de fabrication.

Les procédés à l'étude s'attaquent spécifiquement à la résistance du canal
de conduction entre source et drain et non à la résistance de fuite entre
grille et drain.
par Une ragoteuse à forte poitrine en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 17h53  
par Un ragoteur des lumières de Bretagne, le Mardi 23 Juin 2020 à 06h57
un physicien/ne pour expliquer ? Car il change le sens ... wouhou !
...et ? ...
Alors ce n'est pas juste un changement de nom, c'est un changement de structure des transistors. Faire un tel changement demande pas mal de modification dans les process de fabrication la transition cela coûte donc cher et se fait sans garantie d'avoir un bon rendement.

Un transistor FinFET est composé de plusieurs "Fin", qui sont les canaux par lesquelles passe le signal. Ces Fin sont verticaux pour gagner en surface.
Et par dessus les Fin est déposé la "grille", qui vient coller tous les côtés accessibles des Fin.
Cette grille permet de contrôler électriquement l'ouverture du canal grâce au champs électrostatique que la grille produit. Pour produit un champ électrique fort on met une tension sur la grille et pour arrêter ce champ électrique on retire cette tension.

De manière imagé on peut comprendre que ce champ électrostatique vient "pincer" le canal pour le fermer. Et plus ce champ sera fort plus le transistor est fermé fortement (on reduit le leakage) (c'est une image la réalité physique est bien sur un peu plus complexe).

Et c'est là que les Gate All Around (GAA) sont intéressantes, comme ils ont une grille (Gate) qui entoure complètement le canal cet effet de "pincement" du canal est renforcé.
On peut donc mieux contrôler le transistor avec une tension moins forte sur la grille (on parle du contrôle électrostatique du transistor).

Cela permet plein de chose: monter en fréquence, baisser la tension du chip, avoir une grille plus fine, moins de perte, etc.

Grace à cela on devrait voir un gros gain en économie d'energie et performance.
par Une ragoteuse à forte poitrine en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 17h50  
par Un médecin des ragots en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 09h08
Le canal de conduction est fractionnés en plusieurs canaux assimilables à des résistances en parallèle qui selon la loi d'Ohm permet de réduire la résistance équivalente série ce qui a pour effet de réduire les pertes JOULE lorsque le transistor type MOSFET est passant.
Alors pas du tout. Dans un transistor il y a deux types de pertes majoritaires. Les pertes statiques et les pertes dynamiques.
Les pertes statique c'est le courant qui passe alors qu'il ne devrait pas quand le transistor est fermé. Pour éviter ça il faut augmenter la résistance du transistor quand il est fermé, pas la baisser.
Les pertes dynamiques correspondent à la charge et décharge des électrodes du transistor lorsqu'il change d'état. Ces électrodes peuvent être vue comme des capacités. Cette perte ne dépend donc pas de la résistance mais que de la capacité des électrodes et de leurs charges.

Par ailleurs les FinFET ont déjà un canal fractionné. Dans un transistor FinFET on met plusieurs Fin en fonction de ce que l'on veux faire.
On fait ça parce que un Fin seul n'a pas forcement le courant nécessaire pour charger assez rapidement les électrodes des transistors qui se trouvent apres lui. (Oui faire passer plus de courant permet de monter en fréquence le transistor)
De la même manière avec les NanoWires on va mettre plusieurs Wire pour garantir de faire passer assez de courant.

De toute façon les pertes Joule seront bien plus prononcé dans les couches de métal du chip plutôt que dans les transistors donc ce n'est pas le problème.
par Un ragoteur blond en Bourgogne-Franche-Comté, le Mardi 23 Juin 2020 à 13h55  
Espérons que ce ne soit pas comme les promesse des CPU a 10ghz.
par Un médecin des ragots en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 13h40  
Intel et la tromperie éternelle

Ils sont pathétiques chez les bleus....
par davideneco, le Mardi 23 Juin 2020 à 11h37  
par Nicolas D., le Mardi 23 Juin 2020 à 11h10
C'est DocTB ça, le même derrière memetest86+ et ancien de chez canardPC .
El famoso D0ctb , qu'on dois tout les leak d'intel , et qu'on sait qu'il sont dans la panade pendant encore des année
par Nicolas D., le Mardi 23 Juin 2020 à 11h10  
par BX_du_Phoenix en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 11h01
Avant il y avait un site super bien fait qui détaillait chaque technologie sans filtre, c'était x86-secret.
Je lisais tout leurs articles à l'époque avec beaucoup de plaisir, malheureusement ils ont arrêté.
Je pense que ça doit rappeler des souvenirs à Pascal et l'ancienne équipe de PPC.

Exemple d'un article sur la ram qu'ils ont gardé en archive :

x86-secret.com/popups/articleswindow.php?id=15
C'est DocTB ça, le même derrière memetest86+ et ancien de chez canardPC .
par BX_du_Phoenix en Auvergne-Rhône-Alpes, le Mardi 23 Juin 2020 à 11h01  
par Un ragoteur des lumières de Bretagne, le Mardi 23 Juin 2020 à 06h57
un physicien/ne pour expliquer ? Car il change le sens ... wouhou !
...et ? ...
Avant il y avait un site super bien fait qui détaillait chaque technologie sans filtre, c'était x86-secret.
Je lisais tout leurs articles à l'époque avec beaucoup de plaisir, malheureusement ils ont arrêté.
Je pense que ça doit rappeler des souvenirs à Pascal et l'ancienne équipe de PPC.

Exemple d'un article sur la ram qu'ils ont gardé en archive :

x86-secret.com/popups/articleswindow.php?id=15