La GDDR6 grimpe officiellement à 24 Gbit/s chez Samsung et éclipse donc la GDDR6X !

Voilà, Samsung a officiellement lancé sa GDDR6 24 Gb/s, la première du marché ! Son existence est avérée depuis la fin de l'année dernière, où elle avait déjà été ajoutée au catalogue du fabricant. Cette nouvelle solution, par ailleurs parfaitement conforme au standard du JEDEC selon Samsung (contrairement à la GDDR6X), va donc effectivement pouvoir renvoyer au vestiaire la GDDR6X 21 Gb/s de Micron - actuellement utilisée pour la RTX 3090 Ti. Certes, ce dernier a déjà fait savoir il y a quelques mois qu'il ne comptait pas s'arrêter là et qu'il visait également au moins les 24 Gb/s, mais serait-ce vraiment pertinent si la GDDR6 y arrive désormais aussi et peut offrir une bande passante du même niveau ?

Bref, en attendant de voir si Micron arrive à pousser sa GDDR6X encore plus haut, il est indéniable que celle-ci a beaucoup perdu de sa superbe pour l'instant, bien que le « X » puisse toujours lui conférer un statut virtuellement supérieur d'un point de vue purement marketing... Mais cela soulève donc forcément aussi la question de savoir vers qui NVIDIA et AMD préféreront se tourner pour les RTX 4000 et les RX 7000, particulièrement pour les plus gros modèles. En tout cas, Samsung a confirmé qu'il a pour projet de commercialiser sa GDDR6 24 Gb/s avec les futurs GPU, que l'échantillonnage a déjà commencé et que ses clients vont commencer à les « vérifier » dès ce mois-ci, ce qui sous-entend qu'on la verra sans aucun doute à l'œuvre avec les prochaines générations, autant pour le marché du GPU gaming que pro.  

La majorité des cartes graphiques grand public existantes utilisent de la GDDR6 16 Gb/s, certains modèles des puces 18 Gb/s. Par rapport à celles-ci, la GDDR6 24 Gb/s pouvant transférer jusqu'à 1,1 To/s apporte donc un gain de bande passante respectivement de 50 et 30 %, ce qui n'est évidemment pas négligeable du tout ! Samsung explique avoir pu réaliser cette prouesse grâce à sa troisième génération de procédé 10 nm - également nommé 1z - et l'usage d'une lithographie EUV. Pour rappel, ce n'est que très récemment que les producteurs de DRAM (et de NAND) ont enfin commencé à exploiter la lithographie à rayonnement aux ultraviolets extrêmes pour cette production. 

Accessoirement, Samsung a simultanément aussi ajouté une nouvelle version de ses GDDR6 16 Gb/s et 14 Gb/s, et une nouvelle GDDR6 20 Gb/s. Actuellement toutes en phases d'échantillonnage, ces nouveaux modules ont la particularité d'être low power grâce à leur technologie dynamic voltage switching (DVS) permettant de moduler la tension en fonction des besoins en performance. De base, celle-ci sera de 1,1V, soit 0,25 V de moins que le standard GDDR6. Elles se destineront ainsi tout particulièrement aux machines portables. Pour finir, notons aussi que toutes les nouvelles puces GDDR6 de Samsung, y compris la 24 Gb/s, ont à présent une densité de 16 Gb.