Elpida + Samsung + 2x nm = un petit coup de couteau dans le dos

Samsung vient juste d'officialiser en milieu de semaine son passage au 2x nm pour la DDR3, uniquement pour l'heure avec des puces 256Mo puis en fin d'année des 512Mo. Une occasion que ne pouvait pas manquer Elpida histoire d'étriller son concurrent, et c'est chose faite puisque 24h seulement après le communiqué de Samsung, la firme annonce de son côté que le développement de ses puces 512Mo en 25nm est achevé et qu'elles sortiront sur le marché un peu plus tard dans l'année, mais avant Samsung quoi qu'il arrive.

Concrètement qu'est ce que le 25nm va apporter à la DDR3 ? Rien de spécial visiblement au niveau des tensions d'alimentation puisqu'Elpida annonce du 1.5 voire 1.35V soit les standards actuels. Néanmoins il y aura tout de même matière à se réjouir niveau consommation, mais ce sera grâce à l'intensité puisque la firme explique que ses barrettes pourront supporter une baisse de celle-ci de l'ordre de 25 à 30% en charge, et même entre 30 et 50% au repos. Pour la fréquence, il est question de 1866MHz, mais on imagine évidemment plus pour des barrettes dédiées à l'overclocking.

Enfin un point et pas des moindres : grâce au 25nm la productivité serait d'après Elpida améliorée de 45% (Samsung annonce même +50% de son côté) par rapport aux puces gravées en 3x nm. Avec un tel scénario, les prix de la DDR3 ne devraient pas remonter avant un bon moment encore !