Des nouvelles des gravures Intel chez ASML, et des croustillantes !

Alors que le nœud concernant la finesse de gravure chez Intel est resté bloqué sur du 14 nm depuis 2014, les bleus ont pourtant bien l’intention de tenter de repartir sur leur rythme précédent d’un die shrink tous les deux ans. Confirmée par une présentation d’ASML, le principal fabriquant d’équipements EUV actuel, la feuille de route passe par du 5 nm, puis du 3 nm... et du 2 nm, pour finir avec une lithographie 1,4 en 2029 ! Néanmoins, la firme annonce également deux phases d’optimisation pour chaque procédé, voilà qui donne matière à meubler les divers retards.

10 ans de processeurs en silicium, voilà qui laisse du temps...

Cependant, un détail intriguant est présent sur ce slide : alors que tous les processus de gravure sont directement issus du nœud précédent, le 7 nm provient de 10++. Après un peu plus d’investigation, il s’avère que cette diapositive est en fait tirée d’une précédente présentation des bleus utilisant des noms plus techniques, qui ont par conséquent été recouverts. Et nous pouvons clairement apercevoir que ce ++ est issu d’un 10 nm+ (celui actuellement utilisé sur Ice Lake), le 10 nm n’ayant selon toute hypothèse été utilisé que pour l’étrange i3-8121U, seul Cannon Lake quasiment introuvable. Le 10 nm+ est-il trop peu fiable pour être la base du 7 nm ? À moins que la version ++ apporte des améliorations significatives profitant également au 7 nm ? Mystère et boule de gomme...

Le slide originel

En outre, notons la possibilité de backport, c’est-à-dire de transfert d’un nœud sur un autre en cas de pépin. Si, jusqu’alors, Intel avait corrélé technologie de lithographie et révision architecturale, nous savons depuis l’Architectural Day que ce ne sera plus le cas. D’après la présentation, ces sorties de secours seraient prévues pour chaque nouveau saut dans une technologie plus avancée : plutôt rassurant quant aux 10 prochaines années. Reste à voir où en sera la concurrence à ce moment-là ! (Source : WikiChip)