Un 7nm aux UV profonds chez TSMC vers 2018 ?

Après un contrat juteux avec Apple basé sur une production 10nm FinFET, une source industrielle a annoncé l'orientation du Taïwanais TSMC vers la technologie des UV profonds (ou DUV, de longueur d'onde entre 193 et 248nm) pour graver ses puces en 7nm. Contrairement à son concurrent Samsung, les UV extrêmes seraient laissés de côté le temps que la technologie murisse. Cette dernière se base sur des rayons carburant à 13.5nm soit environ 17 fois plus puissants sur le plan énergique pur.

A noter que tous les processus de gravure ne sont pas équivalents, ce qui pourrait pousser la Pomme dans les bras de Samsung pour sa puce A12 prévue pour équiper les prochains iBidules, bien que les rumeurs soient contradictoires à ce sujet. Il faut dire que depuis l'A9, dont la production etait partagée avec Samsung, Apple se fournit uniquement chez TMSC : un changement de foundeur serait étonnant, mais pas nécessairement injustifié. En effet, le 7nm LPE de chez Samsung serait plus dense, ce qui permettrait des puces moins grandes et donc un rendement plus élevé. Cela reste cependant à confirmer lors d'une utilisation réelle, notemment au niveau des courants de fuite. Comme constaté avec Polaris refresh, une meilleure maitrise des technologies de gravures permet une montée en fréquence plus aisée, ce qui n'est pas pour nous déplaire. Pendant ce temps, GloFlo a déjà son 7nm LP dans les rails et Intel son 10nm. Ca va chauffer pour 2018 !