Ryzen Zen 6 : AMD chargerait Samsung de fabriquer l’IOD en 4 nm |
————— 14 Février 2025 à 12h50 —— 19416 vues
Les Ryzen Zen 5 actuels exploitent des CCDs (Core Complex Dies) fabriqués par TSMC en N4P et un IOD en 6 nm (à l'exception des Strix Halo, intégralement en 4 nm). Pour la prochaine génération Zen 6, des informations partagées à la mi-janvier ont conjecturé le recours au 3 nm (N3E) de TSMC pour les CCD, et au 4 nm pour l’IOD. L’hypothèse la plus évidente était donc l’exploitation du N4P de TSMC. De nouvelles rumeurs suggèrent un changement de crèmerie, avec une mise à contribution de Samsung.
4 nm c'est toujours mieux que 6
D'après TPU, qui se base sur un article de The Bell, AMD envisage de faire appel au 4LPP de l’entreprise coréenne. Ce nœud sert à la production de masse depuis 2022. Comme le montre le tableau ci-dessous proposé par TechPowerUp, en matière de densité de transistors, ce 4LPP se situe entre l’Intel 4 et le TSMC N4P. Dans tous les cas, par rapport au N6 de TSMC mis en œuvre pour les Ryzen desktop Zen 5 et Ryzen Strix Point, le 4LPP induirait une amélioration notable de la densité de transistors.
© TPU
En pratique, cette nouvelle gravure de l’IOD doit contribuer à une meilleure gestion de l'énergie. Et surtout, favoriser une prise en charge de DDR5 plus véloce. Rappelons que pour les Ryzen 9000 (Granite Ridge), le support natif est en DDR5-5600. C’est une amélioration minime par rapport aux Ryzen 7000 et leur DDR5-5200. Ces derniers possèdent déjà un circuit d’E/S en 6 nm. Le sweet spot n’a ainsi pas beaucoup changé, passant de 6000 MT/s à 6400.
Bon, ce n'est pas la première fois que des racontars envoient AMD chez Samsung. En outre, la source initiale, The Bell, est bien plus réservée que l’article de TPU ne le laisse transparaître. Elle précise que pour l’instant, le rapprochement entre Samsung et AMD porte sur des prototypes de puces EPYC de 6e génération ; ajoute « qu’en fonction de l'issue du projet, l'entreprise pourrait recevoir des commandes supplémentaires pour des matrices d'entrée/sortie (I/O) à l'avenir ». The Bell cite d’ailleurs une source de l’industrie : « Il est vrai qu'AMD a développé des produits par l'intermédiaire de la fonderie de Samsung Electronics, mais nous comprenons qu'ils n'ont pas encore signé de contrat de production de masse ».
En cas de succès, la production de masse de matrices IOD par la fonderie Samsung débuterait au second semestre de cette année. Pour quels motifs AMD solliciterait Samsung plutôt que TSMC ? La raison principale est prosaïque selon The Bell : elle s’explique par « le manque de capacité du processus 4 nm de TSMC […] principalement destiné à la production d'accélérateurs d'intelligence artificielle pour NVIDIA et AMD [donc Blackwell / Radeon Instinct] ». La source ajoute que la fiabilité du 4 nm de SF est également un motif d’approbation. Elle souligne qu’il sert notamment à la fabrication des SoC Exynos ainsi qu’aux puces IA de Baidu depuis plusieurs mois.
Ci-dessous, le X de la rumeur de mi-janvier, puis celui d'aujourd'hui. Vous y trouverez le lien vers l'article de The Bell ; voilà celui pour l'article de TPU.
AMD 2026 products Rumors
— HXL (@9550pro) January 17, 2025
CPU: Zen6 CCD N3E, IOD N4C
GPU: UDNA N3E （The return of the flagship）
APU: Halo X3Dhttps://t.co/asJkMA6Yre pic.twitter.com/agAnPgiAec
REPORT: AMD IS SET TO MASS-PRODUCE I/O DIES FOR EPYC SERVER PROCESSORS AT SAMSUNG 4NM.https://t.co/mPaWytfEu1
— Jukanlosreve (@Jukanlosreve) February 13, 2025
Cela permettrait à AMD d'occuper l'entrée de gamme des cartes graphiques. Avec 15TFlops, dont la moitié pour la partie graphique, jouer avec un PC en 1080p serait largement envisageable. Et si en baissant la fréquence, on pourrait avoir des PC Portable avec ~10TFlops. Cela les mettrait à un niveau de puissance supérieur à une PlayStation 4 pro.
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