Micron : GDDR7 spotted pour l'année prochaine

Après avoir dévoilé des résultats de son troisième trimestre mi-figue mi-raisin — mi-raisin parce qu'ils sont en net retrait face à l'exercice précédant, mais mi-figue car c'est moins pire que prévu —  Micron annonçait un peu plus tôt cette semaine la bascule sur son nouveau tête de nœud process de fabrication 1β dont les rendements semblent ici aussi justifier une amorce plus rapide que prévue « coucou Intel, Samsung & consorts... Nous aussi ça roule, bisous » selon les dires de Sanjay Mehrotra, eul' PDG. Au programme par rapport à 1α, de l'efficience évidemment : +35 % en densité et -15 % en pompage de watts, du classique, avec l'usage de la seconde génération de HKMG : des transistors monolithiques dont les isolants de grille sont des isolants à forte constante diélectrique (high-k) sont associés à des grilles métalliques (du coup hop : high-k metal gate). Le 1β sera ceci dit dernier représentant fabriqué via lithographie DUV avant de passer sur de l'EUV, quand la concurrence — SK Hynix et Samsung — l'utilise déjà depuis un moment.

...d'ailleurs cette illustration vient de chez Samsung

Et sur ce nouveau process, deux choses sont à l'honneur : la HBM3 ou Micron est un pwal à la bourre, qui, aux vues de la demande stratosphérique, pourrait bien aider dans le rétablissement de la couleur verte dans les résultats financiers. Mais c'est surtout pour ce qui nous intéresse la GDDR7 qui s'invite au tableau avec une prévision de mise sur le marché sur le premier semestre 2024.

Sans toutefois donner beaucoup de précisions sur les specs, que l'on peut néanmoins retrouver chez Cadence et Samsung : bienvenue à la modulation PAM3 (rappelez-vous, on vous causait il y a peu de PAM4 à propos du switch PCIe 5.0 ↔ 6.0) à trois niveaux de signal donc (0, -1 , +1) permettant le transfert de trois bits de données sur 2 cycles d'horloge au lieu de deux avec une modulation NRZ (ou PAM2), ne nécessitant ainsi pas de modifications de fréquences pour aboutir à des débits nettement supérieurs face à la GDDR6, tout en réduisant les coûts d'intégration nécessaire face à la modulation PAM4 utilisée par exemple sur la GDDR6x. Au niveau des débits justement : les premiers jets devraient débuter à 36 Gb/s par pin (ou 36 000 MT/s si vous préférez) sur 384-bit, quand la GDDR6x plafonne à 24 Gb/s. Le timing parfait pour les prochaines générations de GPU qui devraient intervenir quelque part en 2024.