Globalfoundries annonce que sa MRAM 22FDX est prête !

La MRAM fait causer depuis de nombreuses années (souvenir de Comptoir, quand Pascal avait encore ses (quelques ?) cheveux), successeur attendue des mémoires DRAM et NAND qui seraient désormais face à un mur en matière d'évolution technologique. En réalité, la technologie est parfois déjà utilisée, mais ce n'est que l'année dernière que les choses ont réellement commencé à se concrétiser pour une production en masse de la MRAM. Par exemple, Intel avait commencé en affirmant être prêt à produire le futur de nos PC en MRAM et Samsung lui a emboîté le pas un mois plus tard en annonçant vouloir se mettre à la MRAM en 2019. Il est évident que la technologie attire les intérêts des grands de l'industrie et que l'évolution devrait progressivement trouver son chemin vers le paradis du commerce.

Jeudi dernier, c'est GlobalFoundries qui s'est donné une accolade en annonçant avoir complété la conception de sa technologie 22FDC (22 nm FD-SOI) avec de la mémoire eMRAM. En l'occurrence, la technologie est prévue pour être utilisée dans de nombreux domaines, par exemple, l'automobile, les microcontrôleurs industriels et l'IoT. Enfin, plusieurs clients de GlobalFoundries seraient prêts à faire échantillonner leurs premiers exemplaires de puces 22FDX avec eMRAM dès cette année.

Sur le papier, les avantages de la eMRAM ("embedded magnetoresistive non-volatile memory") sont multiples, particulièrement pour les puces nécessitant un stockage intégré de haute capacité, des performances et une endurance de haut niveau, le tout sur un seul die de silicium. Pour y arriver, la MRAM n'utilise pas de charges électriques ou de flux de courant, mais exploite des éléments de stockage magnétiques et repose sur la lecture de l'anisotropie magnétique de deux films ferromagnétiques, séparés par une barrière fine. Ainsi, cette méthode ne nécessite aucun cycle d'effacement avant l'écriture de nouvelles données (contrairement à la mémoire flash contemporaine), d'où des performances largement supérieures et une endurance améliorée.

En sus, la MRAM peut être manufacturée en utilisant les procédés de gravures modernes. Comme toute nouvelle technologie, il y aurait évidemment aussi quelques inconvénients, qui seront en principe progressivement adressés avec des processus de fabrications à base de ReRAM, mais selon GlobalFoundries et Samsung, le potentiel de la MRAM serait énorme pour la bonne majorité des industries. La preuve : 

À propos de son eMRAM, GlobalFoundries met tout particulièrement en avant que ses puces 22FDX avec eMRAM ont affiché une endurance de 100 000 cycles et une capacité de rétention des données de 10 ans, sur plage de température de fonctionnement de -40° à +125°C et sans ECC. Les premiers produits ont également passé les tests de fiabilité LTOL et HTOL, respectivement sur 168 et 500 heures. Enfin, GlobalFoundries précise également que d'autres tests ont démontré une immunité magnétique en veille d'environ 600 Oe à 105°C sur 10 ans, et d'environ 500 Oe en mode actif - deux points évidemment très importants pour un produit reposant sur les éléments de stockage magnétiques.

Pour l'instant, les capacités offertes sont encore assez limitées, de 4 Mb à 48 Mb, et la technologie qualifiée pour une conception AEC-Q100 Grade 2 permet une plage de température entre -40° et +105°C. La prochaine étape sera l'AEC-Q100 Grade 1, qui atteindra la fameuse plage promise de -40° à +125°C.

Pour l'anecdote, les puces 22FDX de GlobalFoundries sont manufacturées dans le Fab 1 300-mm situé à Dresde, en Allemagne, et c'est aussi l'usine qui s'occupera de la production des futurs produits 22FDX avec eMRAM de la compagnie. Bon, la mémoire Flash n'a plus qu'à bien se tenir ? (Source)