ASML fait miroiter une production augmentée de moitié grâce à de l’EUV boostée

Selon un rapport de Reuters, ASML sera en mesure d’augmenter jusqu’à 50 % la production de puces via ses systèmes de lithographie EUV d’ici la fin de la décennie. Par quel levier ? En portant la puissance de la source lumineuse, actuellement d’environ 600 watts, à près de 1 000 watts. Teun van Gogh, vice-président exécutif en charge de la gamme de machines EUV NXE chez ASML, indique que cette puissance supplémentaire permettra aux clients de traiter environ 330 wafers par heure, contre près de 220 aujourd’hui, avec à la clé une baisse du coût par puce.

Système Twinscan NXE

Conserver son avance

De son côté, Michael Purvis, directeur technologique chez ASML, précise qu’il « ne s’agit pas d’un tour de passe-passe ou d’une démonstration éphémère. C’est un système capable de produire 1 000 watts dans les mêmes conditions que celles observées chez un client ».

Vous l'imaginez, et comme l’explique Jorge J. Rocca, professeur à la Colorado State University, dont le laboratoire spécialisé dans les technologies laser a formé plusieurs scientifiques d’ASML, il ne suffit pas d’augmenter la puissance électrique. « C’est extrêmement complexe, car il faut maîtriser de nombreux aspects et de multiples technologies ».

Concrètement, pour produire une lumière d’une longueur d’onde de 13,5 nanomètres, les machines d’ASML projettent un flux de microgouttelettes d’étain en fusion dans une chambre, où un puissant laser au dioxyde de carbone les transforme en plasma. Dans cet état de matière surchauffé, les gouttelettes atteignent des températures extrêmes (supérieures à celles de la surface du Soleil selon l’analogie utilisée par la source) et émettent un rayonnement EUV. Celui-ci est ensuite canalisé par des miroirs de très haute précision (fournis par l’allemand Carl Zeiss AG), avant d’être exploité pour graver les circuits.

Les avancées permettant d’atteindre 1 000 watts reposent notamment sur le doublement du débit de gouttelettes d’étain, désormais proche de 100 000 par seconde, ainsi que sur l’utilisation de deux impulsions laser au lieu d’une seule. La première prépare et aplatit la goutte afin d’optimiser le couplage énergétique, tandis que la seconde génère le plasma principal. L’entreprise estime qu’une montée en puissance vers 1 500 W, voire 2 000 W à plus long terme, reste envisageable. Pour compléter, vous trouverez une vidéo pour mieux comprendre la production chez ASML dans un précédent article.

Comme le souligne Reuters, le leadership d’ASML n’est pas encore menacé, mais la concurrence commence à s’organiser. Aux États-Unis, au moins deux start-ups, Substrate et xLight, ont levé plusieurs centaines de millions de dollars pour développer des alternatives domestiques. xLight a bénéficié d’un financement public de l'administration du président Donald Trump. Son président exécutif du conseil d’administration n’est autre que Pat Gelsinger, l’ancien boss d’Intel (et actuel dirigeant de Gloo, un fournisseur de logiciels pour l'écosystème confessionnel ayant levé 72,8 millions de dollars lors de son introduction en bourse aux États-Unis en novembre dernier).

Du côté de la Chine, qui est privée d’accès aux systèmes EUV d’ASML, certaines entreprises réuissiraient à obtenir composants issus d’anciennes machines sur les marchés secondaires. Surtout, une équipe basée à Shenzhen aurait achevé un prototype fonctionnel de machine EUV au début d’année 2025. Pékin viserait une mise en service à plus grande échelle à l’horizon 2028.