La fin du FinFET chez TSMC se précise enfin

TSMC a finalement (enfin) confirmé avoir choisi la technologie Nanosheet pour la production de son futur procédé 2 nm, destiné à commencer sa carrière en 2025. Le numéro 1 de la production de semiconducteur a plusieurs fois été critiqué pour sa décision d'en rester au transistor FinFET pour son procédé 3 nm attendu sur le terrain à partir de 2023 avec les N3 et N3B, et 2024 avec le N3E, tandis que Samsung va passer au Nanosheet dès cette année avec les GAAFET et son propre 3 nm, et Intel - enfin à nouveau en mode prise de risque - aussi devrait y arriver bien avant le fondeur taiwanais, avec le RibbonFET et son procédé 20A attendu durant la premiere moitié de 2024. Mais c'est visiblement un choix parfaitement assumé et défendable, comme nous le racontent l'analyste Mark Li de chez Bernstein et Matthew Bryson, SVP de Wedbush Securities.

L'historique de TSMC inspire déjà largement confiance et c'est précisément cette prudence et stabilité qui contribuent beaucoup à rassurer la clientèle, tandis que la prise de risque (tout à fait compréhensible au vu de sa position, certes) de Samsung a surtout pour l'instant eu pour effet de faire peur à certains clients s'inquiétant des risques non négligeables à l'exécution, tels que Qualcomm et NVIDIA (bon, les autres problèmes internes à l'entreprise n'ont certainement pas dû aider non plus). En effet, migrer les clients vers une nouvelle technologie n'est pas une mince affaire et est une opération risquée, beaucoup d'étoiles doivent être alignées pour un déroulement "parfait" et permettre le déploiement d'une technologie dont la qualité, le rendement, le cout et le volume sont parfaitement prévisibles. Grosso modo, TSMC la joue prudente, tandis que Samsung et Intel auront le plaisir d'essuyer les plâtres. L'avenir nous dira si c'était bien la chose à faire. Si l'histoire récente tend à favoriser TSMC, il ne faut pas pour autant négliger le fait que le paysage concurrentiel a bien évolué, surtout avec un fondeur américain à nouveau prêt à investir très lourdement.  

En attendant, il est anticipé que le 3 nm soit un node longue durée et qu'il chevauchera le 2 nm sur la feuille de route, en coexistant donc pendant un bon moment. Étant donné que la technologie Nanosheet apportera de nouveaux avantages en matière d'amélioration de la consommation et de l'efficacité, il faudrait s'attendre à ce que la clientèle active sur le marché des systèmes HPC soit la première à effectuer la transition vers le 2 nm. Enfin, TSMC a aussi confirmé se pencher sur la succession de la technolgoie Nanosheet, et entre autres sur le transistor CFET (Complementary FET) - proposé par l'IMEC sur sa feuille de route. Néanmoins, le CFET n'en est encore qu'à la phase de recherche et il ne s'agit en réalité que d'une option parmi d'autres. Selon Kevin Zhang de chez TSMC, il est encore trop tôt pour dire si et quand cette technologie pourrait entrer en production. Dernièrement, c'est aussi dans ce cadre que TSMC explore  de nouveaux matériaux, comme la disulfure de tungstène et le nanotube de carbone. (Source)