NAND 3D 96L : la 5ème génération de V-NAND désormais produite en masse chez Samsung

Presque jour pour jour, après la NAND 64 couches de 2016, la NAND 72 couches de 2017, voici que la NAND 3D 96 couches (ou V-NAND 96L chez Samsung) passe en production de masse chez le Coréen Samsung, elle avait été annoncée en août 2017. Une évolution en accord avec la roadmap de la NAND 3D de 2017 et avec ce que fait la concurrence pendant ce temps-là, par exemple Western Digital aussi se trouve sur le droit chemin avec sa NAND 3D BiCS4 96 couches.

Tous les producteurs aiguisent leurs armes et se préparent doucement pour la future vague de produits de stockage qui en tireront bien parti, au passage nous espérons que cela se fera avec des tarifs évidemment plus contenu qu'actuellement. A priori oui, mais ce n'est jamais une certitude surtout quand les principaux acteurs semblent en général soudainement très bien s'accorder lorsqu'il s'agit de réguler  et de contenir les baisses des prix.

Sur le plan des améliorations, la V-NAND 96 couches de Samsung profitera notamment d'une interface NAND Toggle DDR 4.0 fonctionnant à 1,4Gbps, contre 800Mbps pour la génération précédente. Au passage, elle se satisfera aussi d'un fonctionnement à 1,2V au lieu de 1,8V  auparavant, un moyen aussi pour compenser le surplus de consommation électrique qu'aurait provoqué l'interface plus performante. Avec ceci, Samsung mentionne des améliorations des latences d’écriture et de lecture. La latence de lecture n'avait pas bougé entre la NAND 48L et 64L, mais Samsung promet sa réduction à 50μs. Idem pour la latence d'écriture et une baisse annoncée de 30% pour atteindre les 500μs.

Comme souvent, Samsung ne s'est pas trop étalé à propos des améliorations du processus de fabrication, si ce n'est que la hauteur de chaque couche de cellule mémoire a été réduite  de 20%, une autre évolution également attendue. Par rapport à la NAND 64L, le coréen met en avant une hausse de 30% des rendements avec le procédé de fabrication de la NAND 96L, sans préciser si celle-ci est réalisée par bit ou par wafer. Elle devrait toutefois permettre Samsung de lancer sa V-NAND 96L  sur le marché sans délai à l'heure prévue comme lors de la transition 48L-64L précédente, et ainsi ne pas répéter les retards occasionnés à l’époque avec la V-NAND 48L.

La première V-NAND 96L à être produite en masse est de type TLC 256Gb (3 bits par cellule), normalement le type de mémoire usité principalement sur le marché mobile et dans les SSD mainstream. De plus grosses capacités arriveront un peu plus tard, dont de la NAND QLC 1Tb (4 bits par cellule) pour des SSD plus imposants tout en réduisant le coût par taille, avec cette fois-ci pour cible le marché professionnel et les SSD d'entreprises. (Source)