Samsung met en production sa première NAND 3D

Nous l'évoquions dans les ragots de l'arrivée imminente de cette nouvelle évolution dans le procédé de fabrication des puces NAND, alors que certains se tirent la bourre pour optimiser les rendements de leurs bancs de production, Samsung annonçait il y a deux jours débuter sa production de masse sur sa nouvelle V-NAND, pour Vertical NAND, aussi connue sur l'acronyme NAND 3D.

Deux V-NAND posent pour la gloire, entre autres.

Contrairement au trigate produit chez Intel dont vous pouvez admirer une représentation flatteuse de la structure sur cette vidéo à la gloire du fondeur, l'idée derrière cette V-NAND n'est pas de révolutionner le monde, mais de simplifier l'architecture des transistors via un procédé déjà connu et utilisé par Fujitsu et AMD dans leur Mirrorbit d'architecture NOR, puis d'empiler tout ça pour en faire une structure verticalisée tout en conservant une bonne maitrise des courants électriques et en évitant les interférences entre cellules. Samsung précise dans son communiqué être apte à superposer jusque 24 couches par chambre, ce qui pourrait donner à terme échu des puces d'un terabit ; enfin une fenêtre concrète sur des SSD aux capacités comparables aux HDD !

Au-delà de la densité, c'est aussi une bonne nouvelle côté fiabilité puisque le géant Coréen annonce une durée de vie au minimum doublée... et au maximum décuplé ! Un gap serait également de la partie côté performance avec des gains significatifs en écriture (et sans doute en lecture avec un contrôleur adapté), mais non communiqués encore, pas plus que la finesse de gravure employée ni même de leur placement tarifaire. Horizon 2014 pour voir tout cela en pratique.