La DDR5 en 14 nm avec 5 couches à la EUV entre en prod' chez Samsung

L'heure de la DDR5 s'approche à grands pas et tous les producteurs s'y préparent, certes, à leur rythme. Samsung a maintenant officiellement commencé la production en volume de sa mémoire DDR5 basée sur son  dernier procédé de fabrication 14 nm (génération 1a) faisant usage d'une lithographie aux ultraviolets extrêmes, ou EUV. Un node avancé qui sera au coeur de la trousse à outils du fabricant au moins pour les prochaines années.

Cette technique de fabrication a l'avantage de permettre de réduire la taille du die et d'augmenter de 20 % le rendement d'un wafer 300 mm par rapport à la génération précédente, mais aussi de réduire de 20 % la consommation de la DRAM. Samsung n'a toutefois pas mentionné le type de puce DDR5 fabriqué, si ce n'est que sa nouvelle technologie permettra éventuellement d'obtenir une densité de 24 Gb et d'atteindre un taux de transfert de 7200 MT/s — ce qui sous-entend bien que les premiers modules DDR5 de Samsung présenteront des caractéristiques inférieures —, et ce sera avec de telles puces que pourront à terme aussi apparaitre des modules mémoires de 24, 48, 96, 192 ou 384 Go. Profitons-en pour rappeler les spécifications officielles de la DDR5 chez JEDEC. Le standard DDR5 n'a pour l'instant rien défini au-delà des 6400 MT/s, mais il est déjà prévu d'aller au moins jusqu'à 8400 MT/s, si tout se passe comme prévu.

Samsung expérimente avec l'EUV pour la production de DRAM depuis un bon moment. Le géant coréen est d'ailleurs à ce jour le seul fabricant à utiliser les ultraviolets extrêmes sur 5 couches et peut ainsi encore affirmer sa position de numéro 1 du marché de la mémoire. Sur les talons de son compatriote, SK Hynix devrait toutefois aussi s'y mettre avec une technologie similaire d'ici la fin de l'année. Pour l’anecdote, SK Hynix avait commencé la production en masse de puces LPDDR4 de la génération 1a en 10 nm sous EUV en juillet dernier. Par contre, Micron n'a que récemment commencé à travailler à la machinerie EUV requise de chez ASML (des Twinscan NXE:3600) et ne déploierait des procédés EUV pour la DRAM qu'à partir de 2024, ce qui ne veut évidemment pas dire que Micron n'est pas sur le coup de la DDR5 et ses déclinaisons, il avait même été l'un des premiers à en faire une démo.