Les puces LPDDR5 en EUV et 1z de chez Samsung apparaissent sur la toile

Les usines de Samsung commencent à sortir de la DDR5 à pleine cadence il semblerait, les premières puces prévues pour le monde des appareils mobiles étant sorties il y a quelques mois sur les smartphones Xiaomi Mi 10. Toutefois, la première génération s'arrêtait sur des puces de 12 Gb et en gravure 1z traditionnelle, puisque les modèles gravés en EUV viennent tout juste de sortir avec les Galaxy S21. Pas d'inquiétude, Internet vient encore une fois à la rescousse, et c'est EETimes qui a pu observer de près les données techniques des nouvelles puces LPDDR5 1z de chez Samsung, en observant de plus près les modèles 12 Gb EUV qui sont prévus pour le prochain flagship du géant coréen de l'électronique.

Nous avons donc ici des informations techniques précises, montrant par exemple le gain en taille de la puce mémoire en 12 Gb entre du DUV et de l'EUV, avec une superficie réduite de 17,6 % environ, un gain intéressant pour le monde mobile, que ce soit les smartphones, les tablettes mais aussi les PC ultraportables, qui pourront donc recevoir plus de mémoire vive. Autre point d'amélioration pour la miniaturisation des puces mémoires : la gravure EUV réduit drastiquement le nombre de masques - qui passe à un - et permet des gravures plus nettes et plus propres, limitant certains problèmes dans la transmission des signaux. Une grosse avancée donc, mais Samsung reste plus ou moins seul sur ce domaine, ses concurrents ayant encore du travail avant de proposer des puces mémoires gravées avec de l'EUV, puisque SK Hynix vient tout juste de finir son usine M16, et que Micron reste encore sur l'optimisation des puces DUV. (source : EETimes)