Son usine M16 achevée, SK Hynix va pouvoir se mettre à l'EUV et à la DRAM «1a»

Après une période de construction d'un peu plus de 2 ans (25 mois exactement), l'autre géant coréen de la mémoire à l'ombre de Samsung, SK Hynix, a complété sa nouvelle usine nommée M16 située à proximité de son QG à Icheon. C'est avec celle-ci que le constructeur va enfin pouvoir se mettre sérieusement à la photolithographie extrême ultraviolette, ou plus communément appelée EUV, une technique permettant entre autres de réduire encore la taille des puces grâce à des procédés de gravure encore plus avancés. SK Hynix a déjà fait un peu joujou avec l'EUV entre temps, mais jusqu'à présent uniquement de manière expérimentale dans son fab M14. M16 est désormais la plus grande usine de SK Hynix, occupant un terrain de 57 000 m2, elle fait 336 mètres de long, 105 mètres de haut (+/- un immeuble de 37 étages) et 163 mètres de large, soit une surface utile d'environ 55 000 m2. Sa construction avait officiellement démarré en novembre 2018, fruit d'un investissement de 3,5 trillions de Won sud-coréens, l'équivalent de 2,6 milliards d'euros aujourd'hui !

 Très grande, en effet !

Un nouveau jouet bien cher, mais qui va permettre à SK Hynix de suivre Samsung dans ses démarches conformément à son calendrier et de se mettre lui aussi à la production de DRAM « 1a » avec EUV. Une technologie de procédé de fabrication de DRAM sur laquelle Micron est en tête pour l'instant, l'américain ayant annoncé son entrée en production en volume le 25 janvier dernier, mais sur les bases d'une production DUV, et non EUV comme les Coréens entendent le faire. Son avance est donc essentiellement liée à ce « petit détail » technique, en sachant que Micron se vante tout de même d'avoir réussi à augmenter la densité de stockage de 40 % par rapport à sa DRAM 1z. « 1a » ou « 1alpha » est la génération succédant au dernier procédé 1z, retournant à la case départ pour son appellation avec l'introduction de l'alphabet grec. Selon Micron, elle peut être considérée comme étant de la 4e génération de procédé de classe 10 nm, dont la taille des structures varie entre 10 et 19 nm (cela fait plusieurs années que la DRAM et la NAND n'ont plus la même relation vis-à-vis des procédés de gravure que les puces plus complexes, comme un CPU). Nul doute que cela servira tôt ou tard pour la DDR5 imminente !