Intel : de la 3D NAND haute densité prévue pour 2015

Intel vient de faire savoir que la 3D NAND sera au programme en 2015 pour la joint-venture Intel / Micron. Le but : proposer une mémoire flash dotée d'une densité très élevée pour baisser drastiquement les coûts de production et donc le prix de vente des produits finis. Pour y parvenir, les deux entreprises misent sur 32 couches de NAND pour une densité de 256 Gb par puce de MLC contre 86 Gb chez Samsung. Avec la mémoire TLC, il sera même possible de grimper à 384 Gb par puce contre 128 Gb chez le géant coréen.

L'arrivée de la NAND 3D chez Intel / Micron devrait permettre, si l'on en croit les propos de Rob Crooke, un cadre du fondeur, de proposer des SSD de plus de 10 To dans les prochaines années mais aussi des SSD d'un Teraoctets dans 2 milimètres d'épaisseur. Pour le moment, les SSD en 3D NAND sont à l'état de prototype chez Intel et on ne sait pas quels types de produits seront lancés dans un premier temps (gamme pro ou non). Le fondeur n'a pas précisé la finesse de gravure utilisée mais sachant que Samsung a recours au 40nm sur 32 couches, Intel et Micron doivent sûrement la jouer plus finement.

Cette nouvelle mémoire 3D NAND arrivera au cours du second semestre 2015. Pour rappel, Samsung prévoit lui aussi de commercialiser sa NAND 3D en 2015, et au second semestre. La concurrence risque donc d'être féroce entre les trois protagonistes. (Source : HFR)