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Intel : de la 3D NAND haute densité prévue pour 2015

Intel vient de faire savoir que la 3D NAND sera au programme en 2015 pour la joint-venture Intel / Micron. Le but : proposer une mémoire flash dotée d'une densité très élevée pour baisser drastiquement les coûts de production et donc le prix de vente des produits finis. Pour y parvenir, les deux entreprises misent sur 32 couches de NAND pour une densité de 256 Gb par puce de MLC contre 86 Gb chez Samsung. Avec la mémoire TLC, il sera même possible de grimper à 384 Gb par puce contre 128 Gb chez le géant coréen.

 

intel_3d_nand.jpg  

 

L'arrivée de la NAND 3D chez Intel / Micron devrait permettre, si l'on en croit les propos de Rob Crooke, un cadre du fondeur, de proposer des SSD de plus de 10 To dans les prochaines années mais aussi des SSD d'un Teraoctets dans 2 milimètres d'épaisseur. Pour le moment, les SSD en 3D NAND sont à l'état de prototype chez Intel et on ne sait pas quels types de produits seront lancés dans un premier temps (gamme pro ou non). Le fondeur n'a pas précisé la finesse de gravure utilisée mais sachant que Samsung a recours au 40nm sur 32 couches, Intel et Micron doivent sûrement la jouer plus finement.

 

Cette nouvelle mémoire 3D NAND arrivera au cours du second semestre 2015. Pour rappel, Samsung prévoit lui aussi de commercialiser sa NAND 3D en 2015, et au second semestre. La concurrence risque donc d'être féroce entre les trois protagonistes. (Source : HFR)

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Un peu plus tard ...

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Les 9 ragots
Les ragots sont actuellement
ouverts à tous, c'est open bar !
par roth, le Lundi 24 Novembre 2014 à 15h27  
" pour baisser drastiquement les coûts de production et donc le prix de vente des produits finis."
pu.. qu'ils arrêtent leur bullshit, on a vu ce que ça a donné avec le TLC: 0€ la baisse de prix induite par le changement de gravure
par Un ragoteur lambdo d'Ile-de-France, le Lundi 24 Novembre 2014 à 15h06  
par Un ragoteur désabusé du Nord-Pas-de-Calais, le Lundi 24 Novembre 2014 à 11h51
"Le but : proposer une mémoire flash dotée d'une densité très élevée pour baisser drastiquement les coûts de production et donc le prix de vente des produits finis."
Ca c'est le discours officiel.

Pour celles et ceux qui auraient oublié leurs lunettes-à-lire-entre-les-lignes, le but réel :
a) baisser un tout petit (petit petit) peu les prix histoire de faire illusion qu'Intel est un bienfaiteur de l'humanité
b) baisser fortement les coûts de production pour faire d'encore plus grosses marges et calmer les gros actionnaires déçus de ne voir les bénéfices du trimestre dernier n'augmenter QUE de 12.54% par rapport à l'année dernière qui n'étaient QUE de 2,95 milliards de $, excusez du peu.
C'est clair. On n'a jamais vu une techno faire baisser les prix de 10 fois en un ou deux ans. Là, on aura au mieux des 1 To l'année prochaine au prix des 512 Mo actuellement.

Les 10 To abordables se sera dans 7 ou 8 ans, le temps qu'ils engendrent assez de fric.
par Un ragoteur dingo de Bretagne, le Lundi 24 Novembre 2014 à 12h55  
Je souhaiterais connaitre la durée de stockage de l'information dans ces nouvelles cellules. Pour les premières technologies flash, c'était seulement 10 ans. Comment cette persistance de l'information a-t-elle évoluée ?
par Un ragoteur macagneur du Nord-Pas-de-Calais, le Lundi 24 Novembre 2014 à 11h57  
S'ils veulent tuer le HDD, il leur faudra pourtant bien reduire le prix de vente. 2015-2016 pourraient bien mettre en difficulte les fabricants de disque dur traditionnel.
par Un ragoteur désabusé du Nord-Pas-de-Calais, le Lundi 24 Novembre 2014 à 11h51  
"Le but : proposer une mémoire flash dotée d'une densité très élevée pour baisser drastiquement les coûts de production et donc le prix de vente des produits finis."
Ca c'est le discours officiel.

Pour celles et ceux qui auraient oublié leurs lunettes-à-lire-entre-les-lignes, le but réel :
a) baisser un tout petit (petit petit) peu les prix histoire de faire illusion qu'Intel est un bienfaiteur de l'humanité
b) baisser fortement les coûts de production pour faire d'encore plus grosses marges et calmer les gros actionnaires déçus de ne voir les bénéfices du trimestre dernier n'augmenter QUE de 12.54% par rapport à l'année dernière qui n'étaient QUE de 2,95 milliards de $, excusez du peu.
par Un ragoteur macagneur du Nord-Pas-de-Calais, le Lundi 24 Novembre 2014 à 10h34  
Le mot "nand", concernant cette memoire, vient du fait que pour acceder a la cellule, tu utilise deux transistors en serie (qui donne donc le resultat d une porte ET inversee pour etre selectionnee).
La Flash nand utilise certainement une capacite, mais une capa tres particuliere; ce qu on appelle une "floating gate", ou porte flottante. L'ecriture se fait via l'injection d electrons par procedure thermionic (d'ou les problemes de vieillissement acceleres...)
Selon que tu as plus ou moins d'electrons a l'interieur, la porte sera a un niveau logique plus ou moins haut. Si tu veux utiliser ta cellule en mode binaire, la porte est soi haute soi basse, ca rend la lecture et l'ecriture plus facile, car binaire. Si tu veux l utiliser en mode 2 bits, il te faut 4 niveaux, et ca devient plus complique. 3 bits, il te faut 8 niveaux, bonjour les erreurs en ecriture et en lecture; tu retrouves des contraintes de type analogique.
par Un ragoteur ouplah embusqué, le Lundi 24 Novembre 2014 à 10h01  
par Un ragoteur macagneur du Nord-Pas-de-Calais, le Lundi 24 Novembre 2014 à 09h00
Ce serait quoi l'interet? La flash memory, c'est un pass transistor et une capa flottante, et c'est la tout l'enjeu. En empilant des ocuches, tu peux re augmenter le nombre de cellules memoires et leur redonner une tialle convenable, moins sujette au courants de fuite.
Sauf erreur de ma part, ici c'est de la mémoire NAND, donc sans condensateur, contrairement à de la mémoire dynamique RAM par ex.
par Un ragoteur macagneur du Nord-Pas-de-Calais, le Lundi 24 Novembre 2014 à 09h00  
Ce serait quoi l'interet? La flash memory, c'est un pass transistor et une capa flottante, et c'est la tout l'enjeu. En empilant des ocuches, tu peux re augmenter le nombre de cellules memoires et leur redonner une tialle convenable, moins sujette au courants de fuite.
par lulu-nico, le Lundi 24 Novembre 2014 à 08h45  
Il serait intéressant qu'intel cumule transistor en 3d et en pilement des couches de transistors.