Bataille des gravures : 5 nm Samsung versus TSMC, en scène ! |
————— 04 Mai 2019 à 17h39 —— 13978 vues
Bataille des gravures : 5 nm Samsung versus TSMC, en scène ! |
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Après la comparaison 7 nm, voilà que le combat se répète sur le 5 nm. Certes, nous glanons ça et là des informations individuelles sur chaque finesses, mais il est toujours appréciable de retrouver un bon vieux tableau comparatif. En scène, les deux seuls fondeurs ayant survécu aux affres du temps (adieu GloFlo, au revoir Intel) : Samsung et TSMC, avec respectivement le 5LPE et le N5 - qui n'est pas sans rappeler un certain autre nom de code.
Les plus connaisseurs sauront s'y retrouver rien qu'au tableau, les un peu moins experts se souviendront vaguement d'un comparatif similaire en version 7 nm, le M2P et le CPP étant deux mesures relativement correctes de la taille de gravure (et, pour une fois, un chiffre le plus petit possible est recherché). Si l'on parle de densité pure, le 5 nm TSMC est effectivement grand gagnant, avec 170 millions de transistors pas mm² contre 126 chez Samsung, soit une avance de 37% ! Pour comparer aux gravures actuelles, le 7FF TSMC affirme ses 112 MTr/mm² contre un 7 LPE Samsung à 95 MTr/mm², soit un avantage conservé pour le fondeur Taïwanais.
La cerise sur le gâteau se situe au niveau du coût de production : en dépit d'un procédé à un total de 59 étapes contre 58, le leader s'y retrouve avec un coût de production de seulement 1,15x celui du 7LPP (de chez Samsung), là où son concurrent est légèrement plus cher avec un facteur multiplicatif de 1,18. Reste encore à voir - ou pas pour le grand public ! - la marge décidée par la firme, et l'amortissement de la recherche nécessaire à mettre au point le bouzin. Le 5 nm TSMC, la future vedette de 2021 - 2022 ? (Source : SemiWiki)
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