IBM dévoile la première puce gravée en 7nm FinFET

GloFo s'est récemment offert les services de la branche semiconducteurs d'IBM, une action qui n'a rien d'une bêtise quant on sait qu'IBM Research vient de concevoir la première puce gravée en 7nm FinFET en collaboration avec l'Université de l'état de New York (SUNY).

Une des particularités de cette nouvelle puce est qu'elle n'est pas qu'en silicium, mais est conçue dans un alliage de silicium et germanium (nommé SiGe) qui permet une plus grande mobilité d'électron qu'avec du silicium. Au final, IBM/SUNY donnent cette puce comme presque 50% plus performante que son homologue en 10nm et la différence avec le 14nm actuel se devrait donc d'être plus que conséquente. S'ils ont réussi à "maîtriser" le procédé, rien n'est dit quant au passage en production de masse. Le 10nm pose déjà problème à Intel, TSMC, Samsung et GloFo, ce qui fait que les délais prévus (sortie en 2016/2017) ne seront pas respectés. Du coup, si la prévision pour le 7nm devait être 2017/2018, il n'y aurait pas grande surprise à voir la chose repoussée à une date ultérieure. (source : Ars Technica)