La violation d'un brevet du FinFET pourrait coûter (très) cher à Samsung |
————— 21 Juin 2018 à 09h10 —— 12985 vues
La violation d'un brevet du FinFET pourrait coûter (très) cher à Samsung |
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Comme de nombreuses compagnies Techs, Samsung se retrouve une nouvelle fois devant le juge pour une histoire de brevets, ces autres machines à sous des temps modernes. C'est devant un jury au Texas que ça s'est déroulé, avec Samsung d'un côté, et Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) de l'autre. Ce dernier est le propriétaire d'un brevet de la technologie FinFET aux US (d'où le règlement des comptes devant un tribunal US) et accuse donc Samsung d'avoir porté atteinte à sa propriété industrielle en implémentant FinFET au sein de ses produits sans payer sa licence.
Un air de Far Cry 12, cette université !
Le FinFET ou Finbased field-effect transistor, est une technologie très courante sous une forme ou une autre au sein d'une grande majorité des semi-conducteurs sur le marché actuellement, du SoC mobile en passant par les processeurs serveur et desktop d'AMD et d'Intel, sans oublier les cartes graphiques ! Cette technologie permet notamment d’améliorer l'efficacité énergétique tout en augmentant sensiblement les performances de petits transistors en silicium et de faibles puissances.
Samsung s'est défendu en expliquant qu'il avait pourtant déjà travaillé par le passé en coopération avec l'université sud-coréenne au développement et à la conception de la technologie, et de ce fait rejette bien évidemment les accusations faites à son encontre. L'université, quant à elle, affirme que Samsung aurait majoritairement ignoré la recherche sur le FinFET en la qualifiant d'une simple "mode" de passage, jusqu'à ce qu'Intel s’emparât d'une licence FinFET pour un usage sur ses propres produits (avec une implémentation aujourd'hui aussi connue sous le nom de Tri-Gate Transistor).
Samsung a aussi été rejoint par Qualcomm et GlobalFoundries au sein de la défense. Le premier est un client des produits de Samsung et de GlobalFoundries, le second manufacture donc également des puces à base de FinFET mais dont la licence de la technologie en 14nm a été obtenue... auprès de Samsung. Tous deux ont bien été reconnus coupables, mais ils n'ont pas reçu d'ordre de payer de dédommagement à KAIST.
Bref, le jury s'est largement décidé en faveur de KAIST, en reconnaissant Samsung coupable d'une violation faite volontairement et en connaissance de cause du brevet détenu par l'université. Un jugement accompagné par une amende de 400 millions de dollars, apparemment beaucoup moins par rapport au montant initialement exigé. Mais de par la nature des actions de Samsung, le juge dispose de l'autorité de tripler les chiffres mis en avant par le jury, soit potentiellement une amende de 1,2 milliard de dollars.
Sans surprise, déçu du verdict, Samsung a annoncé qu'il maintient sa position et continuera de clamer son innocence en faisant appel de la décision prochainement auprès du tribunal sans délais, et considéra toutes les options afin d'obtenir une conclusion plus raisonnable (et favorable). (source)
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