Micron dévoile la NAND qui s'auto corrige

Souvent précurseur pour ce qui concerne la mémoire et ses technologies associées, Micron dévoilait hier deux puces NAND avec correction d'erreur intégrée, à l'image de la SDRAM ECC. Destinées au marché des entreprises bien sûr, mais aussi des tablettes, des lecteurs multimédias, des portables et j'en passe, ces nouvelles puces (standard et enhanced selon les performances et la capacité) baptisées ClearNAND sont gravées en 25nm et permettent donc l'absence de contrôleur dédié à la tâche de contrôle d'erreur.

Cela signifie en clair, sinon un gain de performance, une réduction des coûts de développement notamment des contrôleurs, la correction ECC étant intimement liée à la technologie induite au fonctionnement de la puce mémoire, et la finesse de gravure entrainant une baisse du nombre de cycles supportés par les cellules : 10 000 cycles pour les puces 50nm, contre 3 000 au mieux sur ces 25nm.

Chacun dans son panier pour un ensemble plus efficace, c'est en tout cas un pas en avant vers la fiabilité accrue de la NAND, mais pour quel délai encore ? En effet, la mise au point de mémoire flash sur des densités supérieures est d'hors et déjà très problématique, et d'ici à ce que des techniques soient maitrisées, d'autres formats non volatiles pourraient avoir pris le relais !