SK hynix officialise ses modules LPDDR6 1c de 16 Gb |
————— 10 Mars 2026 à 16h42 —— 324 vues
Sur le terrain de la LPDDR6, SK hynix répond à Samsung. Le fabricant annonce avoir finalisé le développement de modules mémoire LPDDR6 de 16 Gb. Ils reposent sur son procédé 10 nm de sixième génération, connu sous le nom de 1c. La production de masse est attendue au premier semestre, avec des livraisons aux clients prévues dans la seconde moitié de l’année.
Une première étape
SK hynix précise que ses modules LPDDR6 atteignent 10,7 Gbit/s. Le mois dernier, lors de l’ISSCC 2026 (Solid-State Circuits Conference), le géant sud-coréen avait également évoqué des puces capables de monter jusqu’à 14,4 Gbit/s. Au-delà des débits, le constructeur met aussi l’accent sur l’efficacité énergétique, avec des gains supérieurs à 20 % par rapport à la précédente génération.
Le communiqué met en avant une organisation en sous-canaux, permettant d’activer uniquement les chemins de données nécessaires, sans solliciter l’ensemble des canaux lorsque la charge ne l’exige pas. La norme LPDDR6 intègre également le DVFS (Dynamic Voltage and Frequency Scaling), un mécanisme qui ajuste dynamiquement tension et fréquence selon le type d’utilisation. Dans les scénarios exigeants, comme le jeu ou les applications lourdes, la mémoire peut fonctionner à haute fréquence pour offrir un maximum de bande passante ; à l’inverse les usages plus légers appellent à une réduction de la fréquence afin de limiter la consommation.
SK hynix « estime que les utilisateurs profiteront d’une meilleure autonomie et de performances multitâches optimisées », et se prépare à répondre « aux besoins des clients mobiles à l’échelle mondiale, en fonction de l’évolution de la demande ». Le fabricant ajoute que cette LPDDR6 viendra également « renforcer sa gamme de DRAM conventionnelle optimisée pour les applications d’intelligence artificielle ».
Du côté de Samsung, après avoir présenté des modules LPDDR6 à 10,7 Gbit/s au CES 2026, la société a parlé à l’ISSCC de modules de 16 Gb capables d’atteindre 12,8 Gbit/s. Ils reposent en revanche sur un procédé de gravure 12 nm.
