SK Hynix première sur la DDR5 1c

SK Hynix a mis au point la première DRAM DDR5 1c de 16 Gb ; 1c correspond à la sixième génération du processus 10 nm. L’entreprise devance donc Samsung. La production de masse est prévue en fin d’année.

De la DRAM plus rapide et plus frugale

Ce développement intervient quelques mois après celui de la DRAM DDR5 10 nm 1b, soit celle de 5e génération : Samsung comme SK Hynix avaient atteint cette étape en mai dernier. Sans surprise, l’entreprise écrit que pour développer sa DRAM 1c, elle s’est largement appuyée sur la plateforme DRAM 1b.

Par rapport à celle-ci, l’entreprise coréenne évoque une vitesse de fonctionnement de 8 Gbit/s, soit 11 %, plus élevée que celle de la 1b. Il est aussi question d’une efficacité énergétique améliorée d’un peu plus de 9 %.

Concernant la production, SK Hynix parle d'une amélioration de la compétitivité-prix par rapport à la génération précédente grâce à l'adoption d'un nouveau matériau dans certains processus EUV et à une optimisation global du processus de fabrication. En outre, la société mentionne une productivité accrue de plus de 30 %. Pour être exhaustifs, SK Hynix s'attend carrément « à ce que l'adoption de la DRAM 1c aide les centres de données à réduire les coûts d'électricité de 30 %, à un moment où les progrès de l'ère de l'IA entraînent une augmentation de la consommation d'énergie ».

L’entreprise a déclaré qu’elle lancerait la production de masse de la DDR5 1c d'ici la fin de l'année afin de commencer les livraisons en volume en 2025. Le mot de la fin pour Kim Jonghwan, responsable du développement des mémoires DRAM :

Nous nous engageons à fournir des avantages différenciés aux clients en appliquant la technologie 1c, dotée des meilleures performances et d'un coût compétitif, à nos principaux produits de nouvelle génération, notamment HBM1, LPDDR6 et GDDR7. Nous continuerons à travailler pour maintenir notre leadership dans le domaine des DRAM et notre position en tant que fournisseur de solutions de mémoire IA le plus fiable.