Sk Hynix améliore une fois de plus son processus de gravure DDR4

Si SK Hynix semble vouloir bouder le domaine des SSD tout en accélérant la cadence, voici que la firme déballe son savoir-faire côté RAM. Du fait de l’utilisation de condensateurs, le processus de gravure des puces de mémoires vives est différent de la lithographie « classique » des GPU et autres CPU — et moins performant pour effectuer des calculs, d’où les faibles échos du compute-in-memory. Il en résulte un nom commercial différent du bouzin, que SK Hynix a préféré masquer sous un 1Xnm, afin de signaler qu’il s’agit d’un nœud inférieur au 20 nm sans pour autant s’aventurer sur le terrain glissant d’une mesure ayant de moins en moins de signification réelle.

À ce 1Xnm a succédé un 1Ynm, et c’est maintenant du 1Znm dont il est question. Si vous voulez absolument le placer, ce serait « quelque part entre le 14 et le 12 nm », bien que — une fois encore — cela soit hasardeux puisque la RAM n’effectue pas de calculs complexes. Cette lithographie est désormais opérationnelle sur des puces de 16 Gb (et attention, il s'agit bien de bits, ce qui donne 2 Go/puce), ce qui a permis d’augmenter la productivité de 27 % environ, sans pour autant passer sur des EUV.

Niveau design, ces puces supportent nativement des transferts allant jusqu’à 3200 Mbits/sec, ce qui serait selon la firme le plus rapide à l’heure actuelle en DDR4 (attention, il s’agit de quelque chose de différent de la fréquence de rafraîchissement de la RAM !), et la consommation énergétique serait réduite de 40 % ! En outre, la firme annonce avoir d’autres ambitions pour cette technologie comme la LPDDR5 ou la HBM3 ; autant de noms qui sonnent bien doux à l’oreille. Néanmoins, ce 1Znm entrera en production de masse en 2020, autant dire que nos rêves de mémoires next-gen sont plutôt à reporter sur 2021 voire 2022. Alors, excités ? (Source : DigiTimes)