Flashbolt : Samsung présente sa HBM2E encore plus rapide

Lors du GPU Technologie Conference (ou GTC) tenu et organisé par NVIDIA - dont on aura notamment retenu l'arrivée de l'API DXR sur les cartes Pascal, Volta et Turing à partir de la GTX 1060 6Go (une p'tite pensée pour les GTX 1060 3 et 5Go) -, Samsung en a profité pour dévoiler sa dernière génération de DRAM haute performance pour les prochaines générations de superordinateurs, d'intelligences artificielles et GPU : la HBM2E, baptisée Flashbolt ! Ainsi, pas encore de HBM3, mais une HBM "Gen3" ce que l'on considérera un peu comme une étape transitoire façon GDDR et GDDRX. Étrangement, elle ne correspond pas non plus au standard JEDEC mis à jour en décembre dernier. Quoi qu'il en soit, les débits promettent encore une fois de passer au niveau supérieur. Voyez plutôt :

Vu ainsi c'est plutôt mignon et prometteur, Jinman Han, senior vice-président Memory Product Planning and Application Engineering Team chez Samsung Electronics, n'en était d'ailleurs pas peu fier. Face à la GDDR6, l'avantage en matière  de bande passante est encore une fois indéniable, comme peuvent en témoigner les Radeon Vega (56, 64 et VII) face à aux GeFORCE (RTX), la HBM2E ne manquera pas de creuser encore l'écart. Par contre, l'autre vérité, c'est que la HBM est virtuellement très peu répandue et coûte certainement encore très cher en comparaison à la GDDR, on se souvient que NVIDIA avait tenté la HBM2 pour le GV100 de Volta et plus tard la version castrée en Titan V. Bref, du haut de sa toute-puissance, la HBM2E ne fera probablement rien pour faire perdre à la High Bandwidth Memory son statut de mémoire premium ! (Source)

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