Une RAM 20 fois plus rapide que la DDR3 chez Micron

Micron, après la prometteuse Clear NAND annoncée début décembre, récidive cette fois avec ses innovations sur la DRAM. Alors que la DDR4 n'est pas encore officiellement arrêtée au niveau de ses spécifications, mais dont on sait qu'elle ne révolutionnera pas l'architecture DDR, le constructeur dévoile son HMC, pour Hybrid Memory Cube. L'annonce est claire : un module d'HMC peut être 20 fois plus rapide qu'un module de DDR3, sans préciser la mouture de ce dernier, tout en étant moins énergivore..

Prenons la certification DDR3 la plus pourlingue, soit DDR3-800 et sa bande passante de 6,4Go/s. Cela donnerait donc des modules de mémoire vive, si on se calque sur l'architecture actuelle de la DDR qui fonctionne en bi-canal et sur les fronts montant et descendant de l'horloge, capables de délivrer une bande passante de 128Go/s ! Sur le plan du fonctionnement, la principale différence se situe au niveau de contrôleur logique : ce dernier n'est plus situé en aval des puces mémoires, mais directement dans ces dernières, à l'image de la Clear NAND ou la correction de données se fait également directement dans la puce !

Une technologie réservée dans un premier temps aux monde pro, très demandeur de ressources, et qui pourrait arriver sur le marché dès l'an prochain dans ce segment, et aux alentours de 2015 pour le grand public d'après des propos recueillis de Brian M. Shirley, vice patron milliardaire de la division DRAM de la firme. (source : Micron & Cnet)