Samsung peaufine sa DDR4

Alors que la DDR3 bat son plein et domine sans partage sur le monde de la ram volatile, Samsung quant à lui prépare l'avenir et le futur, ainsi que le lendemain et l'horizon de l'après DDR3. La firme a tellement bien avancé qu'elle a déjà mis au point des modules utilisant des puces de 30nm de 256Mo.

Le module fabriqué a une vitesse de 2133 MHz ( La DDR4 aura une fréquence comprise entre 1.6 et 3.2 GHz) pour une tension de 1.2V, ce qui peut facilement se comparer avec la DDR3 actuelle poussée à fond qui nécessite des tensions de folie, loin des recommandations Jedec de 1.5V pour la DDR3 normale et 1.35V pour la Low DDR3. En parlant de standard, il reste encore à être déterminé, et ce sera chose faite durant le second semestre 2011 de manière collégiale entre tous les acteurs et le Jedec. Pour terminer, l'usage d'une telle mémoire sur un notebook réduirait de 40% la consommation liée à la ram, affaire à suivre donc.... (Source XBL)

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