Allumer le Fe sur la mémoire : une bonne idée ?

Utilisées pour la première fois dans la fin des années 1990, les mémoires ferroélectriques (on parlait alors de FRAM ou FeRAM) offraient des performances tout à fait convenables tout en gardant une consommation très faible. Les puces ainsi créées étaient non-volatile, ce qui pouvait sembler très utile pour l'intégration en SSD (quelque peu anachronique à l'époque) ou la tolérance aux pannes. Malheureusement, le procédé ne pouvait accepter gravure plus fine que 130 nm, ce qui a été fatal à son développement.

Cependant un nouveau type de transistor basé sur les propriétés de l'oxyde d'hafnium, appelé FeFET (rien à voir avec le FinFET), a été développé ces dernières années. Toujours dans un stade de prototype, l'idée consiste à réutiliser un transistor logique et augmenter fortement la taille la grille (gate) en réutilisant le matériau ferroélectrique déjà présent, en plus grande quantité.

La feu-fête est très proche d'une technologie bien connue, les HKMG, utilisés notemment dans le 28 nm de chez GloFlo

Il en résulte un transistor facilement intégrable, qui pourrait surpasser la NAND actuelle. Néanmoins la technologie est encore jeune, et il faudrait réussir à convaincre consommateurs et investisseurs - la partie la plus difficile selon Stefan Müller, dirigeant de Ferroelectric Memory Co. (FMC), une start-up développant des transistors FeFET.

Les FeFET seraient en développement chez SK Hynix et Global Foundries, bien qu'aucune production de masse ne soit encore planifiée. Ajoutés à la 3D Xpoint et la ReRAM, également en développement, le combat risque d'être rude ces prochaines années sur le stockage/mémoire vive. On peut légitimement également imaginer un nouveau type de mémoire ultra-rapide se répandre, faisant l'intermédiaire entre la RAM et le disque à la manière des "SSD" Intel Optanes. On espère simplement que ces nouvelles inventions ne viendront pas (trop) vider notre portefeuille ! (Source : SemiEngineering)