Intel nous dévoile les entrailles d'Haswell

Intel a dévoilé des données techniques sur ses processeurs Haswell à l'occasion de l'ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) qui se tient actuellement à San Francisco. Du nombre de transistors au type de mémoire embarquée pour le GT3e en passant par les améliorations du régulateur de tension, Intel déshabile Haswell, pour le plus grand bonheur de Guillaume.

Il convient tout d'abord de discerner quatre types de design, selon le nombre de cores et le type d'IGP. Pour le design 4+3 (quad-core et GT3e) le die mesure 260mm2 + 77mm2 (pour la mémoire embarquée) et 1,7 milliard de transistors sans prendre en compte la mémoire. Le design ULT 2+3 (dual-core basse consommation et GT3) embarque 1,3 milliards de transistors dans un die de 181mm2. Les designs 4+2 (quad-core et GT2) et 2+2 (dual-core et GT2) possèdent, respectivement, un die de 177mm2 et 130mm2 pour 1,4 milliard et 960 millions de transistors.

Pour les 128 Mo d'eDRAM présents au sein des CPU équipés de la version GT3e de l'IGP, Intel précise que la fréquence de fonctionnement est de 1,6 GHz et la tension nécessaire de 1V. La mémoire, gravée en 22nm Tri-Gate, embarque 8 blocs de 16 MB et le bus OPIO utilisé lui permet de bavarder avec le CPU grâce à une bande passante de 102 GB/s consommant 1W. On apprend également que les CPU Haswell ULT, qui n'intègrent pas le PCH sur le die, sont reliés à ce dernier avec cette même interface mais dont la bande passante chute alors à 4GB/s et la consommation passe à 32mW.

Intel a réussi à abaisser les courants de fuites de l'interface mémoire d'un facteur x100 (rien que ça!) en utilisant une nouvelle technique de power gating. Le régulateur de tension intégré au die (FIVR) a une efficacité de 90% en charge, peut entrer et sortir de veille en 0.32µs et balancer la sauce turbo en 0.1µs. Des chiffres qui font rêver Thibaut !

Des slides techniques en veux-tu en voila !