100 milliards de $ sur 20 ans pour le nouveau complexe de fabs de Micron aux USA !

Bien que le marché soit actuellement en phase de ralentissement (d'autres préféreront la notion de normalisation), l'avenir ne s'en prépare pas moins maintenant, au risque de voir l'un ou l'autre concurrent ayant été plus visionnaire (et peut-être moins prudent) un jour prendre le large ! Afin de ramener la production de semiconducteur avancé aux USA et d'y produire d'ici la prochaine décennie 40 % de sa DRAM, Micron avait confirmé en août son intention de construire une première nouvelle usine de pointe à Boise, Idaho et qui devrait commencer à entrer en service à partir de 2025.  Mais ce n'était que le début !

Le constructeur a dernièrement partagé plus de détails sur un autre projet qui s'étalera cette fois-ci précisément sur 20 ans ! À terme de cette vingtaine d'années d'investissements progressifs pour la construction et l'expansion continue de ce nouveau complexe majeur, ce seront environ 100 milliards de dollars - une somme (assez astronomique) qui rappellera celle qu'Intel va lui claquer (enfin, aidé par le gouvernement) pour son complexe géant en Ohio - que Micron (et l'État) aura dépensé d'ici les années 2040. Le constructeur a choisi un terrain à proximité de Clay dans l'État de New York, ce qui est un choix autrement plus censé que le Texas par exemple, étant donné que la région a un bien meilleur accès à l'eau et un réseau électrique beaucoup plus fiable, mais il n'est pas dit que ce fussent les seuls critères qui ont motivé le choix de Micron. En tout cas, ce sera non seulement le plus grand complexe jamais construit par Micron, mais aussi le plus grand site de production de semiconducteurs aux USA (sous réserve d'un autre projet annoncé entre-temps par un autre acteur, bien entendu). Le complexe possédera éventuellement pas moins de 4 salles blanches de 55 700 m² chacune.

La grande différence par rapport aux autres acteurs ayant annoncé des projets de cette envergure, par exemple Intel et TSMC, c'est que Micron ne produit pas de puces logiques. Ainsi, ce complexe sera intégralement dédié à la production de mémoire ! Cependant, Micron ne s'est pas encore attardé sur les types de produits et les technologies qui y seront conçus, il a tout juste précisé que le complexe fabriquera de la DRAM avancée (comprendre DDR5, DDR6, DDR7, HBM next-gen...) utilisant des nodes à EUV.

Les préparations vont a priori commencer dès l'année prochaine, tandis que le début de la construction devrait avoir lieu en 2024. Ensuite, la production débuterait quelque part durant la seconde moitié de cette décennie. On peut supposer que le déroulement de l'opération et le respect du calendrier avancé dépendront aussi beaucoup de la demande et des projections à ce moment-là. (Source)