STMicroelectronics et TSMC s'associent sur la production de composants GAN

Nous parlons souvent des améliorations pour les semiconducteurs liés au traitement des données et du signal, mais il y a un autre domaine qui a fait preuve d'innovation ces dernières années : l’électronique de puissance. En effet, nous avons pu voir l'évolution des systèmes de transformation et régulation du courant électrique au sein de nos composants, notamment par l'utilisation de puces dites DrMOS ou les alimentations multiphases. Mais parfois il faut aussi revenir à la base pour améliorer l'ensemble, et les innovations sur la construction des gros transistors sont de plus en plus fréquentes, notamment en révisant la chimie associée à leur conception. Et ce sera donc STMicrolectronics, l'un des majors dans la fabrication de composants dédiés à la puissance, qui collabore avec TSMC sur la production de nouveaux transistors Gan - Gallium Nitride - pour accélérer leur déploiement.

Les avantages liés à ces transistors sont une plus faible résistance à l'état fermé - lorsque le transistor est totalement passant - et une plus faible capacité entre les jonctions, ce qui réduit fortement les pertes de puissances sur les gros MOSFET servant à faire la commutation dans les circuits d'alimentation à découpage. L'intérêt est d'augmenter le rendement des alimentations en général, ainsi que de réduire la surchauffe des composants. En boostant sa production, le fabricant cherche à démocratiser la technologie pour la rendre moins chère et prendre de l'avance sur ses concurrents. Et pour TSMC, cela peut l'aider à se rapprocher de son ennemi de toujours, Samsung, pour prendre la place de numéro un dans la production de semiconducteurs. Pour les consommateurs, ce sera probablement une montée en grade des blocs d'alimentation sur le rendement sans que le tarif augmente pour autant. (source : STMicroelectronics)

Petite présentation par STMicroelectronics des avantages liés au MOSFET GaN comparé aux versions en silicium